SK Hynix registra un aumento del 137% en las ganancias del cuarto trimestre a medida que se acelera la demanda de IA

Fuente Cryptopolitan

SK Hynix cerró el año 2025 con un cuarto trimestre espectacular, registrando ₩19,2 billones en ganancias operativas, un 137% más que en el mismo período del año pasado.

Los ingresos alcanzaron los 32,8 billones de wones, un aumento intertrimestral del 34 %. El beneficio neto alcanzó los 15,2 billones de wones, un 21 % más que en el tercer trimestre. Cada cifra batió un récord.

El año en sí tampoco fue tranquilo. Los ingresos anuales alcanzaron los 97,1 billones de wones, el beneficio operativo se situó en 47,2 billones de wones y el beneficio neto en 42,9 billones de wones. Estos son máximos históricos. El margen operativo de SK fue del 49%, mientras que el margen neto se situó en el 44%.

En comparación con 2024, esto representa un aumento de ingresos de 30 billones de wones, y las ganancias se duplicaron con creces. El año anterior registró 66,1 billones de wones en ingresos y 23,4 billones de wones en ganancias operativas.

HBM lidera el aumento de ganancias, seguido por DRAM y NAND

Las ventas de HBM se duplicaron con creces interanualmente, impulsando las ganancias. SK afirmó ser el único proveedor capaz de enviar HBM3E y HBM4 simultáneamente. Comenzaron la producción en masa de HBM4 en septiembre. A finales de año, habían iniciado envíos a gran escala para satisfacer los pedidos. También indicaron que la demanda de HBM personalizado siguió aumentando.

La DRAM para servidores de SK Hynix también tuvo un gran año. Comenzaron la producción completa de su proceso de 1cnm, la sexta generación de su tecnología de 10 nm. También presentaron una RDIMM DDR5 de 256 GB, fabricada con DRAM de clase 1b de 32 GB, dirigida a de hiperescala .

SK Hynix registra un aumento del 137% en las ganancias del cuarto trimestre a ₩19,2T a medida que aumenta la demanda de memoria de IA.
Resultados financieros de SK Hynix para el ejercicio 2025 (K-IFRS). Fuente: SK Hynix.

En cuanto a la memoria NAND, la demanda fue baja en el primer semestre, pero repuntó rápidamente. Finalizaron el desarrollo de productos QLC de 321 capas y respondieron a la demanda de eSSD en el segundo semestre. Esto impulsó la NAND a sus mayores ingresos históricos.

SK afirmó que cada vez más empresas de IA están migrando del entrenamiento a los modelos de inferencia, lo que aumenta la necesidad de más memoria. Esperan que la DRAM y la NAND para servidores sigan creciendo junto con HBM. La necesidad no es solo de rendimiento, sino también de volumen.

SK amplía sus fábricas y aprueba una enorme devolución a los accionistas

SK Hynix anunció que está intensificando la producción en la fábrica M15X de Cheongju y construyendo su primera fábrica en el Clúster de Semiconductores de Yongin. También está ampliando sus instalaciones de empaquetado en Cheongju e Indiana para gestionar la fabricación inicial y final en diferentes ubicaciones. Así es como afirman que mantendrán el ritmo de pedidos.

También están retribuyendo a los accionistas. La compañía pagará un dividendo extraordinario de 1 billón de wones, equivalente a 1500 wones por acción. Sumado al pago regular de 375 wones, el dividendo total de fin de año asciende a 1875 wones. Esto eleva el dividendo total para el año fiscal 2025 a 3000 wones por acción, equivalente a un total de 2,1 billones de wones.

Además, cancelarán 15,3 millones de acciones propias, lo que representa el 2,1 % del total en circulación, con un valor aproximado de 12,2 billones de wones, según el precio de cierre del día 27. La compañía afirmó que esto demuestra su compromiso con el valor a largo plazo para los accionistas.

Song Hyun Jong,dentde SK, afirmó que se centrarán en el rendimiento y, al mismo tiempo, equilibrarán las inversiones futuras. «Fortaleceremos nuestro papel no solo como proveedor de productos, sino también como socio clave en infraestructura en la era de la IA, permitiendo a los clientes satisfacer sus necesidades de rendimiento en IA», declaró Song.

De cara al futuro, SK Hynix planea ampliar su gama de memorias para IA. En el caso de la DRAM, esto incluye SOCAMM2 y GDDR7. En el caso de la NAND, la compañía busca mantenerse a la vanguardia utilizando tecnología de 321 capas y satisfacer de los centros de datos mediante el eSSD QLC de Solidigm.

También dijeron que trabajarían estrechamente con los clientes para anticiparse a los problemas de suministro.

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Descargo de responsabilidad: Sólo con fines informativos. Rentabilidades pasadas no son indicativas de resultados futuros.
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