คำประกาศกร้าวของ เจนเซน หวง: โรงงานผลิต DRAM ควรขยายกำลังการผลิต และ Nvidia พร้อมจะรับซื้อทั้งหมด

TradingKey - NVIDIA ( NVDA) เจนเซ่น หวง ประธานเจ้าหน้าที่บริหารของ NVIDIA ได้ส่งสัญญาณอันทรงพลังไปยังผู้ผลิตชิปหน่วยความจำทั่วโลกในงานประชุม Morgan Stanley Technology Conference เมื่อเร็ว ๆ นี้ว่า ให้เดินหน้าขยายกำลังการผลิตได้เลย เพราะ NVIDIA จะรับซื้อไว้ทั้งหมดเอง

ขณะที่ผู้เข้าร่วมงานส่วนใหญ่มองว่าข้อจำกัดด้านทรัพยากร ทั้งในส่วนของหน่วยความจำ เวเฟอร์ การบรรจุภัณฑ์ และพลังงาน เป็นคอขวดของอุตสาหกรรม AI แต่หวงกลับให้ความเห็นที่น่าประหลาดใจโดยยืนยันว่า ปัญหาการขาดแคลนซัพพลายชิปนั้นถือเป็น "ข่าวดีอย่างยิ่ง" สำหรับ NVIDIA

ภายในงาน หวงได้อธิบายตรรกะอันเป็นเอกลักษณ์ของเขาเกี่ยวกับข้อจำกัดด้านทรัพยากรว่า ในสภาพแวดล้อมที่ที่ดินสำหรับดาต้าเซ็นเตอร์ พลังงาน พื้นที่ และทรัพยากรอื่น ๆ มีอยู่อย่างจำกัด การตัดสินใจจัดซื้อของลูกค้าจะมีความระมัดระวังมากขึ้น แทนที่จะลองผิดลองถูก พวกเขามักจะเลือกโซลูชันที่มีประสิทธิภาพสูงสุดในทันที

ด้วยความได้เปรียบด้านเงินทุนและขนาดที่มหาศาล NVIDIA จึงสามารถล็อกซัพพลายจำนวนมากได้ตลอดทั้งห่วงโซ่อุตสาหกรรม และกลายเป็นผู้ได้รับประโยชน์สูงสุดจากแนวโน้มนี้โดยธรรมชาติ เขายังกล่าวอย่างกล้าหาญต่อผู้ผลิต DRAM ว่า "จงเดินหน้าสร้างโรงงานผลิตหน่วยความจำต่อไป ไม่ว่าคุณจะเพิ่มกำลังการผลิตมากแค่ไหน NVIDIA ก็จะดูดซับไว้ทั้งหมด"

เพื่อให้โลกภายนอกเข้าใจตรรกะที่ "ขัดกับความรู้สึก" นี้ หวงจึงเน้นย้ำว่าเขา "ชอบข้อจำกัด"

เขาอธิบายว่าเมื่อทรัพยากรตึงตัว ลูกค้าจำเป็นต้องเลือกฮาร์ดแวร์ที่ให้ค่า "Tokens per Watt" สูงที่สุดอย่างแม่นยำ และปัจจุบัน NVIDIA เป็นบริษัทเดียวในโลกที่สามารถสร้าง "โรงงาน AI" ทั้งระบบให้แก่ลูกค้าได้ตั้งแต่ต้น ซึ่งเป็นขีดความสามารถในการให้บริการแบบครบวงจร (end-to-end) ที่คู่แข่งยากจะเลียนแบบได้

NVIDIA ได้จัดหาอุปกรณ์หลักที่จำเป็นสำหรับการติดตั้ง "โรงงาน AI" ขนาดใหญ่ไว้เรียบร้อยแล้ว ไม่ว่าจะเป็นหน่วยความจำ เวเฟอร์ และการบรรจุภัณฑ์แบบ CoWoS และต่อให้ราคา DRAM จะพุ่งสูงขึ้น บริษัทก็จะไม่ลดปริมาณการจัดซื้อลง ซึ่งช่วยสร้างความชัดเจนด้านความต้องการให้แก่ผู้ผลิตอย่าง Samsung, SK Hynix และ Micron

เบื้องหลังคำกล่าวของหวงคือความต้องการทรัพยากรหน่วยความจำมหาศาลจากแพลตฟอร์ม AI รุ่นถัดไปของ NVIDIA โดยความจุของหน่วยความจำแบนด์วิธสูง (HBM) ที่รองรับโดยชิป GB300 รุ่นปัจจุบันนั้นแตะระดับ 288GB ซึ่งเพิ่มขึ้นอย่างมากจากรุ่นก่อนอย่าง GB200 ที่มีความจุ 192GB

สำหรับแพลตฟอร์ม Vera Rubin ที่กำลังจะมาถึงนั้น จะยังคงรักษาความจุไว้ที่ 288GB แต่จะอัปเกรดสเปกจาก HBM3E เป็น HBM4

HBM4 ใช้การออกแบบการวางซ้อนแบบ 16 ชั้น ซึ่งมีความซับซ้อนมากกว่ากระบวนการวางซ้อน 12 ชั้นของ HBM3E ส่งผลให้อัตราการสูญเสียจากการผลิต (yield loss) สูงขึ้น และมีการใช้ทรัพยากรหน่วยความจำต่อหน่วยผลผลิตเพิ่มขึ้นอย่างมาก

ขณะเดียวกัน ภาพรวมด้านซัพพลายของหน่วยความจำแบนด์วิธสูง (HBM4) สำหรับตัวเร่งความเร็ว AI รุ่นถัดไปของ NVIDIA อย่าง Vera Rubin ก็เริ่มมีความชัดเจนขึ้น โดยทั้ง Samsung Electronics และ SK Hynix ต่างก็ได้เข้าสู่รายชื่อซัพพลายเออร์หลัก

ตามรายงานระบุว่า ยักษ์ใหญ่ด้านหน่วยความจำจากเกาหลีใต้ทั้งสองรายได้ถูกผนึกเข้าสู่ระบบซัพพลายชิ้นส่วนของ Vera Rubin แล้ว และเนื่องจากวงจรการผลิตของ HBM4 ตั้งแต่ขั้นเวเฟอร์ไปจนถึงการบรรจุภัณฑ์นั้นใช้เวลานานกว่า 6 เดือน ทั้งสองบริษัทจึงอาจเริ่มการผลิตจำนวนมากได้เร็วที่สุดภายในเดือนนี้

ในแง่ของการจัดสรรส่วนแบ่งซัพพลาย คาดว่า SK Hynix จะครองส่วนแบ่งมากกว่าครึ่งหนึ่งของการจัดซื้อ HBM ทั้งหมดของ NVIDIA (ซึ่งครอบคลุมทั้งผลิตภัณฑ์ HBM3E และ HBM4) ในปี 2569 ในขณะที่ Samsung มีแนวโน้มที่จะได้รับคำสั่งซื้อส่วนใหญ่สำหรับ HBM4 ที่ใช้เฉพาะใน Vera Rubin

ข้อมูลพยากรณ์อุตสาหกรรมระบุว่า SK Hynix จะยังคงเป็นผู้นำในอุตสาหกรรมด้วยส่วนแบ่ง 50% ของความจุบิต HBM ทั่วโลก แม้ว่าจะลดลงจาก 59% ในปี 2568 ก็ตาม ขณะที่ส่วนแบ่งทั่วโลกของ Samsung คาดว่าจะเพิ่มขึ้นจาก 20% เป็น 28% ซึ่งแสดงให้เห็นถึงแรงส่งที่สำคัญในการไล่ตามคู่แข่ง