หุ้น ADR ของเอสเคไฮนิกซ์พุ่งขึ้นกว่า 5% สู่ระดับสูงสุดเป็นประวัติการณ์ หลัง S&P คาดว่าจะมีการซื้อหุ้นคืนสูงถึง 40 ล้านล้านวอนในไตรมาส 4

TradingKey - เมื่อวันที่ 9 กันยายน ตามเวลาฝั่งตะวันออกของสหรัฐฯ หุ้น ADR ของเอสเคไฮนิกซ์ (SKHY) พุ่งขึ้นแตะระดับสูงสุดเป็นประวัติการณ์ที่ 196.48 ดอลลาร์ โดยปรับตัวขึ้นมากกว่า 5% ในระหว่างวัน มูลค่าตามราคาตลาดรวมแตะที่ 1.42 ล้านล้านดอลลาร์ ทำให้ห่างจากมูลค่าตามราคาตลาดของเทสลา (1.47 ล้านล้านดอลลาร์) ไม่ถึง 5%

ที่มา: TradingView

ตามการคาดการณ์ล่าสุดจาก S&P Global Market Intelligence ระบุว่า ด้วยอุปสงค์ที่แข็งแกร่งในชิปหน่วยความจำ AI เอสเคไฮนิกซ์ได้รับการคาดหมายว่าจะประกาศแผนการซื้อหุ้นคืนรอบใหม่ในไตรมาสที่ 4 ของปีนี้ โดยมีขนาดการซื้อคืนที่ประเมินไว้ระหว่าง 20 ล้านล้านถึง 40 ล้านล้านวอนเกาหลีใต้ (ประมาณ 2.8 หมื่นล้านดอลลาร์)

นอกจากนี้ แม้ว่าจะเสร็จสิ้นการซื้อหุ้นคืนขนาดใหญ่ดังกล่าว บริษัทก็ยังคงมีศักยภาพในการจ่ายเงินปันผลอย่างงดงาม ซึ่งเป็นปัจจัยหนุนที่แข็งแกร่งให้กับโครงการ "Corporate Value-up" ของรัฐบาลเกาหลีใต้ และการปรับตัวขึ้นของราคาหุ้นที่ขับเคลื่อนด้วยการปรับโครงสร้างผลตอบแทนของผู้ถือหุ้น

โมฮัมหมัด ฮัสซัน (Mohammad Hassan) หัวหน้าฝ่ายคาดการณ์เงินปันผลตราสารทุนประจำภูมิภาคเอเชียแปซิฟิกของ S&P Global Market Intelligence กล่าวในการให้สัมภาษณ์ว่า ขีดจำกัดขั้นต่ำของการซื้อหุ้นคืนรอบใหม่ของเอสเคไฮนิกซ์คาดว่าจะอยู่ที่ 20 ล้านล้านวอน และ "อาจแตะขีดจำกัดขั้นสูงที่ 40 ล้านล้านวอนได้อีกครั้ง"

ขณะเดียวกัน บริษัทหลักทรัพย์ เคบี ซีเคียวริตี้ส์ (KB Securities) ของเกาหลีใต้ ได้ออกมาเตือนเมื่อเร็ว ๆ นี้ว่า สต็อกเซมิคอนดักเตอร์หน่วยความจำของซัมซุง อิเล็กทรอนิกส์ และเอสเคไฮนิกซ์ ได้ลดลงเหลือไม่ถึง 10 วันของอุปทาน ซึ่งบ่งชี้ถึงภาวะขาดแคลนอุปทานที่มีอยู่อย่างรุนแรงในปีหน้า

เคบี ซีเคียวริตี้ส์ ระบุในรายงานที่เผยแพร่เมื่อวันจันทร์ว่า เนื่องจากลงทุนในโครงสร้างพื้นฐานปัญญาประดิษฐ์ (AI) ขยายตัวในอัตราที่ไม่เคยปรากฏมาก่อน ตลาดชิปหน่วยความจำจึงกำลังเผชิญกับภาวะขาดแคลนอุปทานอย่างรุนแรง โดยปัจจัยสำคัญที่ซ้ำเติมภาวะขาดแคลนนี้คือการเปลี่ยนผ่านไปสู่หน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง (High Bandwidth Memory) รุ่นถัดไปอย่าง HBM4

บริษัทตั้งข้อสังเกตว่า HBM4 ต้องใช้กำลังการผลิตเวเฟอร์ประมาณสามเท่าของ DRAM แบบดั้งเดิม เมื่อพิจารณาจากกำลังการผลิตเวเฟอร์ที่มีอยู่อย่างจำกัด การผลิต HBM4 ในปริมาณมากเต็มรูปแบบย่อมจะลดกำลังการผลิตที่มีอยู่สำหรับ DRAM แบบดั้งเดิมลงอย่างหลีกเลี่ยงไม่ได้ ด้วยเหตุนี้ เคบี ซีเคียวริตี้ส์ จึงคาดว่าอุปสงค์ของ DRAM และ NAND จะสูงกว่าอุปทานมากกว่า 10 จุดเปอร์เซ็นต์ในปีหน้า