การประท้วงหยุดงานของ Samsung เผชิญกับการดึงตัวบุคลากรโดย Micron. Micron สรรหาบุคลากรที่มีความเชี่ยวชาญด้าน HBM ในเกาหลี: จะสามารถคว้าโอกาสในการพลิกโฉมภูมิทัศน์อุตสาหกรรมหน่วยความจำได้หรือไม่?

TradingKey - เมื่อวันพฤหัสบดีที่ 21 พฤษภาคมที่ผ่านมา Samsung ประกาศว่าฝ่ายแรงงานและฝ่ายบริหารได้บรรลุข้อตกลงเบื้องต้นร่วมกัน ซึ่งรวมถึงเงื่อนไขที่ฝ่ายบริหารจะจัดสรรงบประมาณ 10.5% ของผลประกอบการบริษัทเพื่อใช้เป็นแหล่งเงินทุนสำหรับโบนัสแบบไม่จำกัดเพดาน โดย Samsung Electronics ระบุในแถลงการณ์ว่าจะระงับแผนการหยุดงานประท้วงที่เดิมกำหนดไว้ระหว่างวันที่ 21 พฤษภาคมถึง 7 มิถุนายนนี้

อย่างไรก็ตาม ข้อตกลงเบื้องต้นนี้ได้รับการคัดค้านจากกลุ่มผู้ถือหุ้น โดยระบุว่าข้อตกลงดังกล่าวเกิดขึ้นโดยไม่มีมติจากที่ประชุมสามัญผู้ถือหุ้น และไม่มีผลผูกพันทางกฎหมาย

ขณะเดียวกัน สื่อต่างๆ เช่น Business Korea รายงานว่า Micron (MU)ได้เริ่มเปิดรับสมัครงานในตำแหน่งออกแบบ HBM ในเกาหลีใต้เมื่อไม่นานมานี้ โดยอาจมีเป้าหมายเพื่อดึงดูดบุคลากรด้านเซมิคอนดักเตอร์ที่อาจลาออกจาก Samsung ท่ามกลางความตึงเครียดด้านแรงงาน ซึ่งความเคลื่อนไหวดังกล่าวถูกมองว่าเป็นความพยายามของ Micron ในการเร่งเครื่องตามให้ทันคู่แข่งในสมรภูมิ HBM4

ตำแหน่งงานหลายอัตราที่ Micron ประกาศรับสมัครในเกาหลีใต้เมื่อเร็วๆ นี้ เน้นไปที่การวิจัยและพัฒนา (R&D) HBM รุ่นถัดไป โดยมีเป้าหมายเพื่อพัฒนาโซลูชัน HBM สำหรับการใช้งานด้าน AI การเรียนรู้ของเครื่อง (Machine Learning) และการประมวลผลประสิทธิภาพสูง ซึ่งครอบคลุมงานด้านการออกแบบวงจร DRAM การเพิ่มประสิทธิภาพด้านพลังงาน พื้นที่ และความเร็ว การตรวจสอบสถาปัตยกรรม และการตรวจสอบการทำงาน ตลอดจนการวิจัยและพัฒนาเทคโนโลยีหลักอย่างการวางซ้อนแบบ 3 มิติบนเทคโนโลยี Through-Silicon Via (TSV) การเพิ่มประสิทธิภาพการใช้พลังงาน และอินเทอร์เฟซความเร็วสูง

บทวิเคราะห์ชี้ว่าความต้องการของ Micron ในการดึงตัวบุคลากรที่มีความสามารถของ Samsung นั้น มีวัตถุประสงค์หลักเพื่อเร่งขยับขยายความก้าวหน้าในสมรภูมิ HBM4 หลังจากที่ยังตามหลังคู่แข่งอยู่ในขณะนี้

พลาดคำสั่งซื้อเริ่มแรกของ NVIDIA Rubin: HBM4 ของ Micron มีข้อบกพร่องในจุดใด?

สาเหตุสำคัญที่ทำให้ Micron ตกขบวนในบรรดา "3 ยักษ์ใหญ่" ของตลาด HBM คือการที่บริษัทพลาดคำสั่งซื้อลอตแรกสำหรับจีพียู AI ของ NVIDIA (NVDA) สถาปัตยกรรม Rubin รุ่นล่าสุด เนื่องจากผลิตภัณฑ์ HBM4 หลักไม่ผ่านการตรวจสอบคุณสมบัติเบื้องต้นจาก NVIDIA ส่งผลให้คำสั่งซื้อถูกแบ่งไปให้กับ SK Hynix และ Samsung

อย่างไรก็ตาม เรื่องนี้ไม่ใช่เพราะ Micron ล้าหลังทางเทคโนโลยี แต่เป็นเพราะบริษัทเลือกที่จะออกแบบ DRAM และเบสได (Base Die) สำหรับ HBM4 ของตนเอง ขณะที่ SK Hynix เลือกใช้กระบวนการผลิตขั้นสูงของ TSMC (TSM) ส่วน Samsung นั้นมีโรงงานผลิตของตนเอง ซึ่งแตกต่างจากแนวทาง "เริ่มต้นจากศูนย์" ของ Micron ทำให้บริษัทตามหลังคู่แข่งอย่างมากในเรื่องความแม่นยำของกระบวนการผลิต HBM4

ปัจจุบัน ข้อมูลจากผู้บริหารของ Micron ระบุว่าบริษัทมีแผนจะยื่นโซลูชัน HBM4 ที่ได้รับการปรับปรุงใหม่เพื่อทดสอบคุณสมบัติอีกครั้งในไตรมาสที่ 2 ของปี 2569 และตั้งเป้าจะขยายการผลิตที่มีประสิทธิภาพสูงในครึ่งหลังของปี 2569 เพื่อทวงคืนส่วนแบ่งการตลาดในกลุ่มชิป AI ระดับกลางและรุ่นต่อ ๆ ไปของสถาปัตยกรรม Rubin

Micron จะสามารถคว้าโอกาสเพื่อไล่ตาม Samsung ให้ทันได้หรือไม่?

การตัดสินใจของ Micron ในการรับพนักงานชาวเกาหลีใต้ท่ามกลางการประท้วงหยุดงานที่ Samsung อาจเป็นการเติมเลือดใหม่ให้กับการวิจัยและพัฒนา HBM ซึ่งจะช่วยเสริมสร้างขีดความสามารถในการแข่งขันในระยะยาว อย่างไรก็ตาม การก้าวขึ้นมาแซงหน้า Samsung ยังคงเป็นเรื่องยากในระยะสั้น ปัญหาที่สำคัญที่สุดที่ Micron กำลังเผชิญอยู่ในขณะนี้คือ การพลาดคำสั่งซื้อชุดแรกจาก Nvidia ทำให้ปัจจุบัน Micron มีวงจรการพัฒนาตามหลัง Samsung และ SK Hynix อยู่ประมาณเก้าเดือน ตราบใดที่ Samsung ยังคงรักษาความก้าวหน้าอย่างต่อเนื่องในระยะต่อไป ก็จะเป็นเรื่องยากสำหรับ Micron ที่จะปิดช่องว่างดังกล่าวได้ในคราวเดียว หากไม่มีสถานการณ์ที่คาดไม่ถึงเกิดขึ้น นอกจากนี้ กำลังการผลิต HBM ของ Micron ยังน้อยกว่าคู่แข่งชาวเกาหลีใต้ทั้งสองรายอย่างมาก ส่งผลให้ไม่สามารถตอบสนองความต้องการหน่วยความจำที่พุ่งสูงขึ้นอย่างรวดเร็วในขณะนี้ได้

ในระยะยาว คาดว่า Micron จะสามารถสร้างความก้าวหน้าผ่านการแข่งขันที่สร้างความแตกต่างจากคู่แข่งทั้งสองราย โดย Micron นำหน้า Samsung และ SK Hynix อย่างมีนัยสำคัญในด้านเทคโนโลยีการควบคุมการใช้พลังงานและการระบายความร้อน ซึ่งเป็นหนึ่งในจุดเด่นทางเทคนิคที่ Nvidia ให้ความสำคัญมากที่สุด Micron เป็นรายแรกที่พัฒนาชิป DRAM ขนาด 24Gb โดย HBM บรรลุความจุสูงได้ด้วยการวางซ้อนชิป DRAM เหล่านี้หลายชั้น ชิป DRAM 24Gb ของ Micron ใช้การซ้อนเพียง 8 ชั้นเพื่อให้ได้ความจุเท่ากับที่คู่แข่งต้องใช้ถึง 12 ชั้น ซึ่งช่วยลดความซับซ้อนเชิงโครงสร้างของ Micron ได้อย่างไม่ต้องสงสัย การดึงตัวบุคลากรที่มีความสามารถจาก Samsung จะช่วยให้ Micron สามารถบูรณาการประสบการณ์ของคู่แข่งและสร้างปราการทางเทคโนโลยีที่แข็งแกร่งยิ่งขึ้น