중국 창신메모리 차세대 DRAM 기술 발전 공개에 삼성·SK하이닉스 장중 4% 넘게 하락

TradingKey - 10월 12일 한국 메모리 반도체 주가가 장중 눈에 띄게 하락했다. 보도 시점 기준 삼성전자(005930.KS)는 최대 약 4.2% 하락한 25만2,500원을 기록했으며, SK하이닉스(000660.KS)는 최대 약 4.01% 하락한 162만4,000원을 기록했다. 한편 중국 DRAM 제조업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 차세대 메모리 기술 연구개발(R&D) 진전 소식을 발표하면서 글로벌 DRAM 산업의 경쟁 심화에 대한 시장의 관심이 더욱 고조되고 있다.

삼성전자 일봉 주가 차트, 출처: TradingView

창신메모리테크놀로지는 차세대 4F² DRAM 메모리 셀 아키텍처 R&D에서 핵심적인 진전을 이루었다고 밝혔다. 현재 상용화된 주류 DRAM에 사용되는 6F² 아키텍처와 비교해 4F² 설계는 칩 단위 면적당 더 많은 메모리 셀을 집적할 수 있어 에너지 효율을 높이는 동시에 메모리 집적도를 향상시킨다. CXMT는 자체 개발한 수직 게이트(Vertical Surrounding Gate) 트랜지스터 아키텍처를 적용해 개별 메모리 셀 면적을 줄이고 누설 전류를 감소시켰다.

차오칸위(Cao Kanyu) CXMT 사장은 2026년 말 이전까지 해당 기술을 기반으로 한 차세대 DDR5 RDIMM 서버용 메모리 제품을 출시할 계획이라고 밝혔다. 현재 삼성전자와 SK하이닉스 역시 4F² 기술을 개발 중이다. SK하이닉스는 앞서 관련 R&D 로드맵을 공개한 바 있으며, 삼성전자는 2028년까지 이 아키텍처를 활용해 10nm 미만 DRAM 양산을 달성할 계획인 것으로 알려졌다.

최근 몇 년간 CXMT의 글로벌 DRAM 시장 점유율은 빠르게 상승했다. 카운터포인트 데이터에 따르면 2026년 2분기 CXMT의 글로벌 DRAM 매출 점유율은 전년 동기 4%에서 10%로 크게 올랐다. 같은 기간 삼성전자는 약 38%, SK하이닉스는 약 25%, 마이크론(MU)은 약 24%를 차지했다.

다만 CXMT는 차세대 제품의 전체 기술 사양이나 구체적인 양산 일정을 아직 공개하지 않았으므로, 이번 R&D 성과가 서버 시장에서 대규모 상업적 주문으로 이어질 수 있을지는 더 두고 봐야 한다. 단기적으로 CXMT의 지속적인 점유율 확대와 첨단 DRAM 기술 진전은 투자자들로 하여금 삼성전자, SK하이닉스 등 기존 메모리 제조업체들이 직면할 향후 경쟁 압력을 재평가하게 만들고 있다.