El rendimiento de CoWoS de TSMC supera el 98% en algunas líneas, y apunta a un tamaño de retícula de 14x para 2029

TradingKey - El 11 de agosto, TSMC reveló en la Cumbre OCP APAC que su solución de empaquetado avanzado CoWoS de tamaño de retícula 5,5x ha entrado en la fase de producción a gran escala. La solución puede albergar hasta 12 apilamientos HBM4 y ha sido validada en productos de múltiples clientes de IA, con rendimientos para ciertos chips de IA que superan de forma constante el 98% e incluso alcanzan el 99% en casos puntuales.

Tras la noticia del avance en el rendimiento de CoWoS, la cotización de TSMC amplió sus ganancias. En la sesión bursátil de Estados Unidos del 12 de agosto, el ADR de TSMC (TSM) cerró en 429,15 dólares, un 1,68% más que la jornada anterior, tras alcanzar un máximo intradía de 433,28 dólares.

[Fuente: TradingView]

Jun He, vicepresidente de Tecnología y Servicios de Empaquetado Avanzado de TSMC, declaró que, durante los últimos tres años, la capacidad de CoWoS de la compañía se ha expandido a un ritmo que casi se duplicaba cada año, y actualmente TSMC opera 10 plantas de empaquetado avanzado. Los inversores institucionales estiman que se prevé que la capacidad mensual de CoWoS de TSMC alcance las 140.000 obleas a finales de 2026 y aumente aún más hasta las 220.000 obleas en 2027.

Además de ampliar la capacidad, TSMC continúa avanzando en el empaquetado avanzado de mayor tamaño. He reveló que la compañía tiene como objetivo incrementar aún más el tamaño del empaquetado hasta especificaciones de retícula de 14x para 2029, momento en el que un solo empaquetado podrá albergar hasta 10 matrices de cómputo de gran tamaño y 20 apilamientos HBM.

Sin embargo, a medida que el tamaño de los empaquetados sigue aumentando, la dificultad de fabricación se incrementa de forma correspondiente. Al integrar chips lógicos, HBM, interposers y sustratos en empaquetados más grandes, las diferencias de expansión térmica entre los distintos materiales, el estrés mecánico y los problemas de disipación térmica se vuelven aún más evidentes. Cuanto mayor es la escala del empaquetado, más probable es que cualquier defecto localizado pueda afectar al funcionamiento estable de todo el sistema de IA.

Por lo tanto, He señaló que, para los centros de datos de IA de alta densidad, depender únicamente de componentes individuales para cumplir con altos estándares de fiabilidad ya no es suficiente. Para mantener la tasa de fallos general dentro de un rango aceptable, la fiabilidad de ciertos componentes del empaquetado debe superar incluso los estándares de grado automotriz. Esto también significa que la competencia en los chips de IA de próxima generación ya no se limita únicamente a los nodos de proceso, sino que se está desplazando gradualmente hacia la optimización colaborativa entre chips, HBM, empaquetado avanzado, disipación térmica y sistemas.