Samsung, SK Hynix, Micron เผชิญสงครามราคาหน่วยความจำ? การขยายกำลังการผลิต DRAM และ NAND ของจีนจะส่งผลกระทบต่อตลาด HBM ทั่วโลกหรือไม่?

TradingKey - บทความจากบล็อกการเงิน ZeroHedge ระบุว่า บรรดาบริษัทเซมิคอนดักเตอร์ของจีนได้เริ่มส่งชิป DRAM และ NAND ที่ผลิตในประเทศเข้าสู่ตลาดอย่างล้นหลาม ซึ่งอาจฉุดราคาหน่วยความจำและอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลให้ลดลง ตลาดชิปกำลังเผชิญกับช่วงเวลาที่เลวร้ายหรือไม่? และแรงปะทะจากสงครามราคาชิปของจีนจะส่งผลกระทบต่อ Samsung, SK Hynix และ Micron (MU) —ซึ่งจะเป็นเหตุการณ์ 'Black Swan' สำหรับสามยักษ์ใหญ่ในอุตสาหกรรมชิปเหล่านี้หรือไม่?

ผู้ผลิตหน่วยความจำของจีนขยายกำลังการผลิต ขณะผลิตภัณฑ์ในประเทศเข้าสู่ตลาดโลก

รายงานจาก Tom's Hardware สื่อเทคโนโลยีระบุว่า ผู้บริโภคพบว่าโมดูลหน่วยความจำ Vengeance DDR5 ขนาด 16GB ของ Corsair แบรนด์หน่วยความจำชื่อดัง ใช้ DRAM จากบริษัท ChangXin Memory Technologies (CXMT) ของจีน แทนที่จะเป็นผู้ผลิตหน่วยความจำ "Big Three" อย่าง Micron, Samsung หรือ SK Hynix ซึ่งแสดงให้เห็นว่า DRAM ที่ผลิตในจีนได้เริ่มปรากฏในผลิตภัณฑ์กระแสหลักแล้ว

สิ่งนี้บ่งชี้ถึงการเปลี่ยนแปลงครั้งสำคัญในพลวัตด้านอุปทานของอุตสาหกรรมหน่วยความจำ ซึ่งก่อนหน้านี้ผลิตภัณฑ์ของ CXMT มักจะจำหน่ายให้กับบริษัทภายในประเทศเป็นหลัก อย่างไรก็ตาม Corsair ซึ่งเป็นพันธมิตรของ CXMT ในกรณีนี้ เป็นผู้นำในตลาดหน่วยความจำสำหรับผู้บริโภค โดยความร่วมมือดังกล่าวชี้ให้เห็นว่า DRAM ที่ผลิตในจีนอาจเริ่มไหลเข้าสู่ตลาดต่างประเทศ ซึ่งอาจนำไปสู่การเปลี่ยนแปลงครั้งใหญ่ของโครงสร้างตลาด

บทวิเคราะห์จาก Tom's Hardware ชี้ให้เห็นว่าบริษัทชิปอย่าง CXMT แตกต่างจากยักษ์ใหญ่กลุ่ม "Big Three" เนื่องจากไม่ได้ถูกข้อจำกัดด้านสัญญาสำหรับดาต้าเซ็นเตอร์และมีกำลังการผลิตที่เพียงพอ แม้ว่าจะยังขาดเทคโนโลยีและเครื่องมือที่ล้ำสมัยที่สุด แต่พวกเขาก็สามารถตอบสนองความต้องการของผู้บริโภคทั่วไปในตลาดได้

ก่อนหน้านี้ โดยปกติแล้ว Corsair มักจะจัดซื้อหน่วยความจำจาก Micron อย่างไรก็ตาม ด้วยราคาหน่วยความจำที่พุ่งสูงขึ้นในปัจจุบัน ประกอบกับกำลังการผลิตของกลุ่ม "Big Three" ที่ถูกจองจนเต็มและยากต่อการจองล่วงหน้า บริษัทอย่าง Corsair จึงอาจหันไปหาบริษัทชิปของจีนที่มีราคาต่ำกว่า เพื่อให้มั่นใจว่าจะมีอุปทานที่มั่นคงและช่วยลดต้นทุน

การจัดซื้อชิปหน่วยความจำจากผู้ผลิตชิปสัญชาติจีนไม่ได้เป็นกรณีที่เกิดขึ้นเพียงรายเดียวในตลาดต่างประเทศอีกต่อไป โดย HP (HPQ) ได้สั่งซื้อ LPDDR5 ล็อตใหญ่จาก CXMT ในเดือนมกราคม ขณะที่ Qualcomm (QCOM) เริ่มร่วมมือกับบริษัทดังกล่าวในการพัฒนา DRAM แบบกำหนดเองในเดือนเมษายน ส่วน Dell (DELL) , ASUS และ Acer ก็ได้ติดต่อเข้าหา CXMT เช่นกัน

นับตั้งแต่ต้นปีนี้ ผู้ผลิตหน่วยความจำสัญชาติจีนหลายรายได้เร่งขยายกำลังการผลิต ซึ่งขณะนี้ไม่เพียงแต่ตอบสนองความต้องการภายในประเทศเท่านั้น แต่ยังเป็นทางเลือกที่ราคาถูกกว่าพร้อมคุณสมบัติที่ใกล้เคียงกันให้กับผู้ผลิต PC ในต่างประเทศ ตัวอย่างเช่น Yangtze Memory Technologies (YMTC) กำลังอยู่ระหว่างการขยายกำลังการผลิตหน่วยความจำอย่างมหาศาล โดยผลประกอบการไตรมาส 1 ของบริษัทเผยให้เห็นว่ายอดการผลิตชิป NAND ครองส่วนแบ่งตลาดโลกได้มากกว่า 10%

ผู้ผลิตชิปหน่วยความจำของจีนเปิดฉากสงครามราคา: จะสามารถช่วงชิงส่วนแบ่งการตลาดโลกได้หรือไม่?

ในขณะที่ "สามยักษ์ใหญ่" ผู้ผลิตชิปแบบดั้งเดิมไม่สามารถตอบสนองความต้องการด้านอุปทานได้ ผู้ผลิตชิปชาวจีนกำลังได้รับโอกาสทางการตลาดอย่างที่ไม่เคยมีมาก่อน อย่างไรก็ตาม สิ่งนี้จะส่งผลกระทบต่อส่วนแบ่งการตลาดของ Samsung, SK Hynix และ Micron จริงหรือไม่?

จากมุมมองทางเทคนิค หนังสือชี้ชวนของ CXMT เผยว่าอัตราผลตอบแทน (yield rates) สำหรับ DDR5 และ LPDDR5X ที่โหนดกระบวนการ 1a (ระดับ 16 นาโนเมตร) นั้นสูงถึงกว่า 80% แม้ว่ากระบวนการ 1a จะค่อนข้างล้ำสมัย แต่เทคโนโลยีระดับแนวหน้าของ "สามยักษ์ใหญ่" ด้านหน่วยความจำได้ก้าวไปสู่กระบวนการระดับ 10 นาโนเมตรรุ่นที่ 6 แล้ว ซึ่งเป็นที่รู้จักกันในอุตสาหกรรมว่า 1c หรือ 1γ สำหรับ Micron โดยโหนด 1b ยังคงอยู่ระหว่างโหนด 1a และกระบวนการที่ก้าวหน้าเหล่านี้

ปัจจุบัน HBM (High Bandwidth Memory) ที่จำเป็นสำหรับศูนย์ข้อมูล AI โดยเฉพาะรุ่นที่สามอย่าง HBM3 สามารถใช้ชิปกระบวนการ 1a ได้ ตัวอย่างเช่น SK Hynix เปลี่ยนจาก 1a ไปเป็นกระบวนการ 1b ที่ล้ำสมัยกว่าเพียงบางส่วนในช่วงยุค HBM3E ขณะที่ชิป HBM3 และ HBM3E ที่ Samsung เคยส่งมอบจำนวนมากให้กับลูกค้ารายใหญ่อย่าง Nvidia และ AMD ก็ผลิตโดยใช้กระบวนการ 1a เช่นกัน

ในปัจจุบัน HBM3E ยังคงครองส่วนแบ่งมากที่สุดของการจัดส่ง HBM ทั้งหมด แต่กำลังการผลิตสำหรับ HBM4 ที่ล้ำสมัยกว่ากำลังเพิ่มขึ้น ซึ่งจะทำหน้าที่เป็นชิปหน่วยความจำมาตรฐานสำหรับ (NVDA) แพลตฟอร์ม Vera Rubin รุ่นถัดไป และ AMD แพลตฟอร์ม MI450 ซึ่งจะกลายเป็นกระแสหลักในอนาคต ปัจจุบันชิปหน่วยความจำจากจีนยังไม่ผ่านมาตรฐานสำหรับการผลิต HBM4 ไม่ว่าผู้ผลิตชิปชาวจีนจะลดต้นทุนลงมากเพียงใด อุปสรรคทางเทคโนโลยีที่ยักษ์ใหญ่ด้านหน่วยความจำระดับโลกสร้างไว้ยังคงยากที่จะก้าวข้าม

อย่างไรก็ตาม ในเซกเมนต์หน่วยความจำสำหรับผู้บริโภค เนื่องจากผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่เน้นกำลังการผลิตไปที่สายการผลิต HBM ระดับไฮเอนด์ ผู้ผลิตชิปชาวจีนจึงพร้อมสำหรับการขยายส่วนแบ่งการตลาดอย่างรวดเร็ว ตัวอย่างเช่น ด้วยอัตราผลตอบแทนที่สูงในกระบวนการ 1a ของ CXMT ทำให้บริษัทอยู่ในตำแหน่งที่ดีในการเข้ายึดตลาดหน่วยความจำสำหรับผู้บริโภคทั่วไปที่เป็นกระแสหลักนี้

อย่างไรก็ตาม บทวิเคราะห์บางส่วนชี้ว่าผลกระทบต่อตลาดอย่างแท้จริงจะเกิดขึ้นก็ต่อเมื่อราคาหน่วยความจำ DDR5 ที่ผลิตโดยผู้ผลิตจีนเหล่านี้ลดลงอย่างมีนัยสำคัญ เมื่อผลิตภัณฑ์หน่วยความจำของพวกเขาถูกนำไปใช้เป็นส่วนประกอบแบรนด์ทั่วไป (white-label) โดยแบรนด์ผู้บริโภคระดับนานาชาติ ต้นทุนการจัดซื้อของแบรนด์เหล่านั้นจะลดลงอย่างมากเมื่อเทียบกับการซื้อจากยักษ์ใหญ่อย่าง Samsung และ SK Hynix ทว่าราคาขายปลีกมีแนวโน้มจะทรงตัว ด้วยเหตุนี้ กำไรที่เกิดจากการลดต้นทุนของผู้ผลิตจีนจึงตกเป็นของเจ้าของแบรนด์เป็นหลัก ต่อเมื่อราคามีการปรับลดลงอย่างรุนแรงจนผลิตภัณฑ์แบรนด์ทั่วไปในประเทศยังคงมีกำไรแม้จะขายในราคาครึ่งหนึ่งของแบรนด์ต่างประเทศ ผู้ผลิตจีนจึงจะสามารถส่งอิทธิพลต่อราคาในตลาดหน่วยความจำได้โดยการเจาะกลุ่มผู้บริโภคที่เน้นเรื่องราคา

ทว่า ตราบใดที่ผู้ผลิตชาวจีนยังคงเผชิญความยากลำบากในการเจาะตลาดหน่วยความจำที่ล้ำสมัยที่สุด ป้อมปราการทางเทคโนโลยีของยักษ์ใหญ่ด้านหน่วยความจำระดับโลกก็จะยังยากที่จะถูกทำลาย สิ่งนี้ยังถูกซ้ำเติมด้วยข้อเท็จจริงที่ว่ายักษ์ใหญ่ด้านเครื่องพิมพ์วงจร ASML ไม่สามารถส่งออกเครื่องพิมพ์วงจร EUV (Extreme Ultraviolet) ไปยังจีนได้เนื่องจากข้อจำกัดด้านนโยบาย ซึ่งหมายความว่าผู้ผลิตชาวจีนจะไม่สามารถสั่นคลอนการครองตลาดของยักษ์ใหญ่ด้านหน่วยความจำระดับโลกได้ในอนาคตอันใกล้