인텔 주가는 왜 8% 급락했을까? 테슬라 설비투자 감축으로 AI 칩 수요 우려 촉발

TradingKey - 인공지능(AI) 인프라 투자가 지속적으로 확대되는 가운데 시장은 자금 조달원과 투자 수익률을 한층 엄격하게 들여다보기 시작했습니다. 테슬라의 연간 설비투자(CAPEX) 하향 조정, 렘리서치의 부진한 실적 전망, 여기에 메타의 외부 자금 조달 확대 가능성까지 더해지며 AI 지출의 지속 가능성에 대한 시장의 우려가 일시에 촉발돼 반도체 섹터 전반이 하락세를 보였습니다.

목요일, 인텔(INTC)과 어드밴스드 마이크로 디바이스(AMD)는 모두 약 8% 하락했고, 마이크론 테크놀로지(MU)는 6.3% 하락했으며, 엔비디아(NVDA)는 4.4% 떨어졌고, 샌디스크(SNDK)는 8.5% 하락 마감했습니다. 반도체 장비 및 광통신 업종에서는 낙폭이 더욱 두드러져 렘리서치(LRCX)가 11.8% 하락한 반면 코히어런트(COHR)와 루멘텀(LITE)은 각각 12.5%와 11.5% 급락했습니다.

테슬라의 설비투자 감축이 인텔 주가에 부담을 주는 이유

테슬라는 실적 보고서에서 올해 연간 설비투자(CapEx) 전망치를 기존 250억 달러에서 200억 달러로 20% 하향 조정했다. 바이바브 타네자 테슬라 최고재무책임자(CFO)는 이번 조치가 자본 배분을 보다 효율적으로 관리하기 위한 목적이라고 밝혔다.

설비투자는 데이터센터, 반도체, 제조 장비, 생산 시설 등 장기 자산을 포함한다. 테슬라는 현재 로보택시, FSD, 옵티머스 휴머노이드 로봇, 테라팹 반도체 프로젝트를 추진하고 있어 그동안 시장에서 AI 반도체 추가 수요의 주요 온상으로 평가받아 왔다. 그러나 테슬라가 연간 지출 목표를 선제적으로 축소함에 따라, 다른 주요 테크 기업들도 예산을 긴축해 전체 반도체 공급망에 영향을 미칠 수 있다는 투자자들의 우려가 커지고 있다.

인텔은 아직 AI 가속기 시장에서 지배적인 입지를 확보하지 못했지만, 첨단 공정, 서버 반도체, 파운드리 사업을 확장하고 있어 지속적인 대규모 투자가 필요하다. 만약 시장이 AI 하드웨어 분야의 성장 기대치를 하향 조정할 경우, 인텔은 높은 자본 집약도와 여전히 회복 단계에 있는 현금 흐름 특성상 더 두드러진 밸류에이션 압박을 받는 경향이 있다.

하지만 테슬라의 올해 설비투자 감축이 AI 추진 과제들의 열기가 식었다는 것을 반드시 의미하지는 않는다. JP모간은 일부 투자가 단순히 연기된 것일 수 있다고 분석했다. 로보택시, 옵티머스, 테라팹이 더 큰 규모의 구축 단계에 진입함에 따라 테슬라의 설비투자는 2027년과 2028년에 다시 늘어날 수 있다.

램리서치 전망과 메타 자금 조달, AI 투자 우려 가중

반도체 장비업체 램리서치가 내놓은 실적 전망 역시 시장의 경계심을 키웠다. 램리서치는 단기적인 공급망 제약이 12월 분기 매출에 영향을 미칠 것이라고 밝히며 시장 기대치를 밑도는 전망치를 제시했고, 이에 따라 주가가 11.8% 급락했다.

장비업체는 반도체 공급망의 상류에 위치하므로 이들의 수주량과 매출 전망은 통상 파운드리의 향후 증설 계획을 가늠하는 기준이 된다. 램리서치가 보낸 신중한 신호는 반도체 기업들의 설비투자가 일시적으로 둔화될 수 있다는 투자자 우려를 자극했으며, 인텔, AMD, 엔비디아 및 메모리 반도체주에 동시에 압박을 가했다.

한편 메타는 주식 발행을 통한 향후 자금 조달의 유연성을 높이기 위해 새로운 주식 클래스를 신설할 계획이라고 발표했다. 에버코어 ISI는 메타가 향후 3~6개월 동안 채권 및 주식 조달을 모두 고려할 수 있다고 지적했다.

이러한 조치는 AI 투자 붐 속에서 또 다른 민감한 문제인 데이터센터 건설이 외부 자금 조달에 계속 의존할 수 있는지 여부를 다룬다.

기업의 영업활동 현금흐름이 반도체 구매, 데이터센터, 에너지 인프라 지출을 충당하기에 부족할 경우, 기업은 채권이나 주식을 지속적으로 발행해야 한다. 자금 조달 비용이 상승함에 따라 기업은 특정 프로젝트를 축소하거나 연기할 수 있으며, 이는 GPU, 서버 프로세서, 메모리 반도체, 광통신 장비 주문에 영향을 미칠 수 있다.

인텔의 장기 기술 전략

단기적인 주가 압력 속에서도 인텔은 장기적인 반도체 기술 로드맵 구상을 지속하고 있다. 인텔은 향후 반도체가 단순히 트랜지스터 크기를 줄이는 데만 의존하지 않고, 수직 적층을 통해 단위 면적당 연산 밀도를 높일 것으로 전망하고 있다.

트랜지스터는 이미 평면 구조에서 핀펫(FinFET) 및 게이트올어라운드(GAA) 기술로 진화했으며, 다음 단계는 N형과 P형 트랜지스터를 수직으로 적층하는 상보형 전계효과 트랜지스터(CFET) 시대로 진입할 수 있다. 또한 금속 배선 역시 점차 3차원화되어 데이터 전송 거리를 단축하고 연산 효율성을 향상시킬 것이다.

다만 이러한 기술을 매출로 전환하려면 발열 해소, 양산 수율, 장비 수급 등의 과제를 여전히 해결해야 한다. 극자외선(EUV) 노광장비의 제한된 생산량과 긴 리드타임은 첨단 반도체 생산능력의 확장 속도를 제약할 수 있다. 인텔은 설비투자를 줄이고 업그레이드 주기를 단축하기 위해 서로 다른 공정 노드 간 장비 재활용을 늘릴 계획이지만, 실제 효과는 고객 주문과 양산 진행 상황을 통해 검증되어야 한다.