ETF กลุ่มชิปหน่วยความจำพุ่งขึ้นกว่า 18% ในการซื้อขายข้ามคืน น่าลงทุนหรือไม่?

TradingKey - ในช่วงการซื้อขายนอกเวลาทำการของสหรัฐฯ เมื่อวันที่ 8 เมษายน กองทุน ETF ที่เข้าจดทะเบียนไม่ถึงหนึ่งสัปดาห์ได้พุ่งสูงขึ้นอย่างกะทันหัน โดย Roundhill Memory ETF (Ticker: DRAM) ทะยานขึ้นกว่า 18% ในช่วงหนึ่งของการซื้อขายนอกเวลาทำการ ขณะที่หุ้นที่กองทุนถือครองอย่าง Micron Technology ( MU) ปรับตัวขึ้น 8%, SanDisk ( SNDK) ปรับตัวขึ้น 7%, Western Digital ( WDC) ปรับตัวขึ้น 8% เนื่องจากหุ้นกลุ่มจัดเก็บข้อมูลปรับตัวขึ้นยกแผงในช่วงการซื้อขายนอกเวลาทำการ ทั้งนี้ ในวันทำการก่อนหน้า กองทุน ETF ดังกล่าวปิดที่ระดับ 29.16 ดอลลาร์ หรือเพิ่มขึ้น 5.04% ภายในวันเดียว และจากการที่เข้าจดทะเบียนได้ไม่ถึงหนึ่งสัปดาห์ การปรับตัวขึ้นสะสมจึงพุ่งเกิน 11% แล้ว

1. DRAM ETF คืออะไร?

เมื่อวันที่ 2 เมษายน 2569 Roundhill Investments ได้เปิดตัวกองทุน ETF ที่มุ่งเน้นการลงทุนในอุตสาหกรรมหน่วยความจำ (Memory) แบบบริสุทธิ์ (Pure-play) เป็นรายแรกของโลกในตลาดหลักทรัพย์ Cboe BZX ของสหรัฐฯ ภายใต้สัญลักษณ์การซื้อขาย DRAM ทั้งนี้ กองทุนดังกล่าวมีความแตกต่างจากกองทุน ETF เซมิคอนดักเตอร์ทั่วไปที่มักถือครองหุ้นของบริษัทที่หลากหลาย ทั้งในด้านการออกแบบชิป การผลิตอุปกรณ์ และโรงหล่อ ซึ่งส่งผลให้สัดส่วนของธุรกิจหน่วยความจำถูกลดทอนลงอย่างมาก อย่างไรก็ตาม กองทุน DRAM ETF ใช้เกณฑ์การคัดเลือกที่เข้มงวด โดยบริษัทที่ได้รับคัดเลือกจะต้องมีรายได้จากธุรกิจหน่วยความจำมากกว่า 50% ของรายได้ทั้งหมด

ข้อมูล ณ วันที่ 5 เมษายน 2569 ระบุว่ากองทุน ETF ดังกล่าวถือครองหุ้นรวมทั้งสิ้น 9 หลักทรัพย์ โดยหุ้นที่มีสัดส่วนการลงทุนสูงสุด 3 อันดับแรกคือ Micron Technology (24.63%), Samsung Electronics (24.11%) และ SK Hynix (23.08%) ซึ่งคิดเป็นสัดส่วนรวมกันมากกว่า 70% ของพอร์ตการลงทุน ส่วนสัดส่วนที่เหลือประกอบด้วย SanDisk (4.90%), Kioxia (4.86%), Western Digital (4.77%), Seagate (4.73%), Nanya Technology (3.89%) และ Winbond (2.40%) นอกจากนี้ กองทุนมีอัตราค่าใช้จ่าย (Expense Ratio) อยู่ที่ 0.65% โดยเป็นกองทุนที่มีการบริหารจัดการเชิงรุก (Actively Managed) และมีการปรับสมดุลพอร์ตการลงทุนเป็นรายไตรมาส

ประเด็นที่น่าสนใจคือ กองทุน ETF นี้มีการใช้เครื่องมือทางการเงินที่เรียกว่า "Total Return Swap" ในการถือครองสินทรัพย์บางส่วน ซึ่งหมายความว่าระดับความเสี่ยงที่แท้จริง (Risk Exposure) อาจสูงกว่า 100% ส่งผลให้โครงสร้างของกองทุนมีความซับซ้อนมากกว่ากองทุน ETF ทั่วไปที่ใช้วิธีถือครองหุ้นโดยตรง

II. อะไรคือสาเหตุเบื้องหลังการพุ่งขึ้นอย่างรุนแรงในชั่วข้ามคืน?

การพุ่งขึ้นอย่างแข็งแกร่งในการซื้อขายช่วงข้ามคืนไม่ได้เกิดขึ้นโดยปราศจากปัจจัยหนุน โดยในช่วง 24 ชั่วโมงที่ผ่านมา ห่วงโซ่อุปทานของหน่วยความจำได้ส่งสัญญาณบวกออกมา 3 ระดับ ซึ่งแต่ละระดับมีความสำคัญเพิ่มขึ้นตามลำดับ

ระดับแรกคือการยืนยันผ่านผลประกอบการ Samsung Electronics ได้เปิดเผยตัวเลขคาดการณ์ผลประกอบการไตรมาส 1/2026 เมื่อวันที่ 7 เมษายน โดยกำไรจากการดำเนินงานพุ่งขึ้นแตะ 57.2 ล้านล้านวอน เพิ่มขึ้น 755% เมื่อเทียบรายปี ซึ่งกำไรเพียงไตรมาสเดียวนี้สูงกว่ากำไรของทั้งปีงบประมาณ 2025 ไปแล้ว ขณะที่รายได้อยู่ที่ประมาณ 133 ล้านล้านวอน เพิ่มขึ้น 68.1% เมื่อเทียบรายปี ซึ่งนับเป็นครั้งแรกที่รายได้รายไตรมาสของ Samsung ทะลุระดับ 100 ล้านล้านวอนนับตั้งแต่จดทะเบียนในตลาดหลักทรัพย์ ในวันเดียวกัน Shannon Semiconductor ผู้จัดจำหน่ายหน่วยความจำในตลาดหุ้น A-share คาดการณ์ว่ากำไรสุทธิส่วนที่เป็นของผู้ถือหุ้นในไตรมาส 1 จะเติบโต 6,714% ถึง 8,747% เมื่อเทียบรายปี ซึ่งสะท้อนให้เห็นว่าความสามารถในการทำกำไรกำลังพุ่งสูงขึ้นทั่วทั้งห่วงโซ่อุปทาน

ระดับที่สองคือการเสริมความแข็งแกร่งอย่างต่อเนื่องของสัญญาณการปรับขึ้นราคา Samsung Electronics ได้บรรลุข้อตกลงเรื่องราคากับลูกค้ารายใหญ่ในไตรมาส 2 แล้ว โดยราคา DRAM ตามสัญญามีกำหนดปรับขึ้นอีก 30% หลังจากที่พุ่งขึ้น 100% ในไตรมาส 1 ขณะที่ TrendForce บริษัทวิจัยเซมิคอนดักเตอร์ระดับโลกได้ให้การคาดการณ์ที่สดใสยิ่งกว่า โดยคาดว่าราคา DRAM ตามสัญญาในภาพรวมจะเพิ่มขึ้น 58% ถึง 63% เมื่อเทียบรายไตรมาสในไตรมาส 2 ส่วนราคา NAND flash ตามสัญญาคาดว่าจะพุ่งขึ้น 70% ถึง 75%

ระดับที่สามเกี่ยวข้องกับการเปลี่ยนแปลงเชิงลึกในกฎเกณฑ์ของอุตสาหกรรม Microsoft ( MSFT) และ Google ( GOOGL) กำลังอยู่ในระหว่างการเจรจาข้อตกลงการจัดหา DRAM ระยะยาวเป็นเวลา 3 ปีกับ SK Hynix โดยข้อตกลงเหล่านี้มีความแตกต่างจากสัญญาแบบดั้งเดิม เนื่องจากมีการนำกลไกการรับประกันราคาขั้นต่ำและระบบการชำระเงินล่วงหน้าที่ 10% ถึง 30% มาใช้เป็นครั้งแรก ซึ่งผู้ซื้อจะไม่รอจังหวะความผันผวนของราคาตลาดเพื่อหาซื้อของถูกอีกต่อไป แต่จะจ่ายเงินล่วงหน้าในเชิงรุกเพื่อจองกำลังการผลิตในอนาคต นอกจากนี้ มีรายงานว่า Samsung กำลังหารือเกี่ยวกับข้อตกลงการจัดหาระยะยาว 3 ถึง 5 ปีกับ Microsoft และ Google เช่นกัน ขณะที่ Micron ยืนยันว่าได้ลงนามในข้อตกลงลูกค้ายุทธศาสตร์ระยะเวลา 5 ปีฉบับแรกแล้ว การที่ผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่ทั้ง 3 รายหันมาใช้ข้อตกลงระยะยาวพร้อมกันเช่นนี้ ถือเป็นปรากฏการณ์ที่ไม่เคยเกิดขึ้นมาก่อนในประวัติศาสตร์ของอุตสาหกรรมหน่วยความจำ

III. ความผิดปกติ: ราคาสปอตปรับตัวลดลง สัญญาฟิวเจอร์สปรับตัวเพิ่มขึ้น

ท่ามกลางภาวะการซื้อขายที่คึกคักอย่างหนักข้ามคืน ตลาดอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลกำลังเผชิญกับความต่างที่เกิดขึ้นได้ยาก โดยราคา Spot ของ DDR4 ร่วงลงกว่า 30% ภายในวันเดียว ซึ่งโมดูลขนาด 32GB ราคาดิ่งลงจาก 2,100 หยวน เหลือเพียง 1,320 หยวน ส่งผลให้หัวข้อ "ราคาแรมดิ่งเหว" กลายเป็นคำค้นหายอดนิยม ขณะที่ชุดหน่วยความจำ DDR5 ปรับตัวลดลงเกือบ 30% ภายในเดือนเดียว

อย่างไรก็ตาม ฝั่งตลาดสัญญากลับมีสถานการณ์ที่ตรงกันข้ามอย่างสิ้นเชิง โดยราคาในสัญญา DRAM สำหรับไตรมาส 1 ปี 2026 มีแนวโน้มพุ่งสูงขึ้น 90%–95% เมื่อเทียบรายไตรมาส นอกจากนี้ยังมีการกำหนดการปรับขึ้นราคาในไตรมาส 2 ไว้ล่วงหน้าแล้ว

ทำไมจึงเกิดความแตกต่างเช่นนี้?

• ตลาด Spot: ตลาดนี้รองรับกลุ่ม SME และช่องทางการจัดจำหน่าย โดยมีขนาดตลาดเล็กและมีความผันผวนสูง ในช่วงปีที่ผ่านมา ราคาของบางรุ่นพุ่งสูงขึ้นกว่า 1,900% และในปัจจุบันกำลังมีการระบายสต็อกสินค้าจำนวนมหาศาลออกมาด้วยความตื่นตระหนก โดยมีชนวนเหตุสำคัญจากการเปิดตัวบทความวิจัยด้านอัลกอริทึม "TurboQuant" ของ Google ที่ระบุว่าสามารถเพิ่มประสิทธิภาพการบีบอัดหน่วยความจำได้ถึง 6 เท่า
• ตลาดสัญญา: ตลาดนี้คิดเป็นสัดส่วนกว่า 90% ของปริมาณการซื้อขายทั้งหมด โดยรองรับผู้ให้บริการคลาวด์ชั้นนำและผู้ผลิตอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งมีการกำหนดราคารายไตรมาสที่สะท้อนถึงอุปสงค์และอุปทานที่แท้จริง ทั้งนี้ ด้วยแรงหนุนจากการเติบโตของศูนย์ข้อมูล AI คาดว่าการใช้จ่ายด้านทุนของผู้ให้บริการคลาวด์รายใหญ่ 8 รายจะสูงเกิน 6 แสนล้านดอลลาร์ในปี 2026 คิดเป็นอัตราการเติบโต 40% โดยผู้ให้บริการคลาวด์ในอเมริกาเหนือยอมจ่ายส่วนต่างราคาสูงถึง 50%–60% เพื่อจองกำลังการผลิต HBM ผ่านสัญญาระยะยาว ในขณะเดียวกัน ผู้ผลิตต่างให้ความสำคัญกับกำลังการผลิต HBM ที่มีกำไรสูง ซึ่งส่งผลให้อุปทานในกลุ่มสินค้าสำหรับผู้บริโภคตึงตัวขึ้นโดยปริยาย และคาดว่ากำลังการผลิตใหม่จะไม่เริ่มเข้าสู่ตลาดจนกว่าจะถึงช่วงปลายปี 2027 เป็นอย่างเร็วที่สุด

IV. ข้อควรพิจารณาสำคัญสำหรับการลงทุนใน DRAM ETF?

ประการแรกคือความเสี่ยงด้านการกระจุกตัว โดยการถือครองหุ้นสูงสุด 3 อันดับแรกมีสัดส่วนรวมกันกว่า 70% ดังนั้น ความผันผวนของราคาหุ้น Micron, Samsung หรือ SK Hynix จึงส่งผลกระทบอย่างมีนัยสำคัญต่อมูลค่าสินทรัพย์สุทธิ (NAV) ของ ETF ทั้งนี้ นักวิเคราะห์จาก Morningstar แนะนำว่า ETF เฉพาะกลุ่มดังกล่าวเหมาะสำหรับเป็น "การจัดสรรเงินลงทุนส่วนเพิ่ม" (satellite allocations) ภายในพอร์ตการลงทุน โดยควรควบคุมสัดส่วนให้อยู่ในระดับต่ำ

ประการที่สองคือความเสี่ยงด้านภูมิรัฐศาสตร์ โดย SK Hynix ได้ยื่นคำขอจดทะเบียนต่อ SEC ของสหรัฐฯ และมีแผนเข้าจดทะเบียนในตลาดหุ้นสหรัฐฯ ผ่านตราสาร ADR ด้วยวงเงินระดมทุนประมาณ 6.7 พันล้านถึง 1 หมื่นล้านดอลลาร์ ซึ่งภายหลังการจดทะเบียน Micron จะสูญเสียความโดดเด่นในฐานะ "บริษัท DRAM เพียงแห่งเดียวที่จดทะเบียนในสหรัฐฯ" ซึ่งอาจกระตุ้นให้เกิดการโยกย้ายของเงินทุน

ประการที่สามคือความเสี่ยงด้านวัฏจักรของอุตสาหกรรม แม้ว่า AI จะเข้ามาเปลี่ยนพลวัตการดำเนินงานของอุตสาหกรรมหน่วยความจำ แต่ลักษณะที่มีความเป็นวัฏจักรสูงก็ยังไม่จางหายไปโดยสิ้นเชิง ความเสี่ยงจากการปรับตัวลดลงของราคาหลังการขยายกำลังการผลิตที่มากเกินไปยังคงเป็นความไม่แน่นอนที่ผู้ถือครองในระยะยาวต้องเผชิญ

V. บทสรุป

การถือกำเนิดของ DRAM ETF และการปรับตัวขึ้นอย่างโดดเด่นในช่วงการซื้อขายข้ามคืน สะท้อนถึงสิ่งที่มากกว่าเพียงการประเมินมูลค่าใหม่ของกลุ่มบริษัทหน่วยความจำ โดยเป็นการส่งสัญญาณถึงการเปลี่ยนแปลงเชิงลึกในโครงสร้างอำนาจของห่วงโซ่อุปทานเทคโนโลยีในยุค AI ขณะที่ยักษ์ใหญ่เทคโนโลยีอย่าง Microsoft และ Google เริ่มจ่ายเงินล่วงหน้าเพื่อ "รับประกัน" อุปทาน DRAM ความสำคัญเชิงกลยุทธ์ของชิปหน่วยความจำจึงไม่ใช่ปัจจัยที่สามารถมองข้ามได้อีกต่อไป

สำหรับนักลงทุนรายย่อย ETF นี้ทำหน้าที่เป็นหน้าต่างสังเกตการณ์มากกว่าจะเป็นเครื่องมือหลักสำหรับการถือครอง หากท่านมีความเข้าใจอย่างลึกซึ้งในห่วงโซ่อุปทาน AI และพร้อมรับความเสี่ยงจากการกระจุกตัวของอุตสาหกรรมในระดับสูง กองทุนนี้สามารถใช้เป็นส่วนเสริมของ ETF กลุ่มอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ได้ อย่างไรก็ตาม สำหรับมือใหม่ แนะนำให้ติดตามแนวโน้มราคาตามสัญญา แผนกำลังการผลิตของผู้ผลิตรายใหญ่ 3 ราย และแนวโน้มรายจ่ายฝ่ายทุนของผู้ให้บริการคลาวด์ เนื่องจากตัวแปรเหล่านี้คือกุญแจสำคัญที่จะกำหนดทิศทางของกลุ่มอุตสาหกรรมหน่วยความจำอย่างแท้จริง