TradingKey - Segundo fontes do setor citadas pela agência de notícias Yonhap em 4 de setembro, a Micron (MU) planeja aumentar sua capacidade mensal de produção de memória de alta largura de banda (HBM) para cerca de 100.000 wafers até o final de 2026, quase dobrando a escala do ano passado. Se a meta for alcançada conforme o previsto, a lacuna de capacidade entre a Micron e a Samsung Electronics e a SK Hynix poderá diminuir para cerca da metade de seu nível atual.
Ao mesmo tempo, a Micron está acelerando o aumento da produção em massa de seus produtos HBM4 de 12 camadas de última geração para atender à demanda pelos aceleradores de IA de próxima geração da Nvidia.
Fontes do setor revelaram que a Micron planeja adicionar até 60.000 wafers à sua capacidade mensal de HBM. A produção mensal de HBM da empresa no ano passado foi de cerca de 40.000 a 50.000 wafers e, após a nova capacidade entrar em produção, espera-se que a escala total alcance aproximadamente 100.000 wafers.
Para atingir esse objetivo, a Micron está fazendo pedidos adicionais a vários fornecedores de equipamentos de fabricação de HBM, com os equipamentos correspondentes sendo enviados para suas fábricas em Taiwan e Singapura. Atualmente, as operações de encapsulamento de HBM da Micron são realizadas principalmente em sua fábrica de Tongluo, em Taiwan, e na fábrica de Woodlands, em Singapura, enquanto o investimento em equipamentos para sua fábrica de Hiroshima, no Japão, também está em preparação.
Por trás da expansão de capacidade está a demanda sustentada por HBM vinda de servidores e aceleradores de IA. Como a HBM oferece uma largura de banda de memória superior, ela se tornou um componente crucial nos sistemas de treinamento e inferência de IA generativa. Fabricantes de chips de IA, liderados pela Nvidia, continuam a ampliar suas compras, e o mercado de HBM permanece com oferta escassa.
Além de expandir a capacidade, a Micron também está ajustando seu mix de produtos HBM. Atualmente, a produção de HBM da empresa continua sendo dominada por produtos HBM3E de 12 camadas, mas a participação dos produtos HBM4 de 12 camadas deve subir de 20% a 30% no início de 2026 para até 50% até o final do ano.
Os produtos HBM4 de 12 camadas são considerados a memória complementar para o acelerador de IA de próxima geração "Vera Rubin", da Nvidia. A Micron iniciou a produção em massa do produto no segundo trimestre de 2026.
O CEO da Micron, Sanjay Mehrotra, afirmou durante a teleconferência de resultados do terceiro trimestre fiscal de 2026, em junho, que a taxa de aceleração da produção em massa do HBM4 de 12 camadas foi cerca de duas vezes superior à do HBM3E de 12 camadas. Até então, a receita acumulada de remessas da Micron para o HBM4 já havia ultrapassado US$ 1 bilhão.
Embora a Micron Technology seja uma das três maiores fabricantes de HBM do mundo, sua capacidade de produção permanece significativamente abaixo da de Samsung Electronics e SK Hynix. Estimativas do setor indicam, em geral, que a Samsung Electronics e a SK Hynix têm, cada uma, uma capacidade mensal de HBM de aproximadamente 150.000 a 200.000 wafers, de três a quatro vezes a escala atual da Micron.
Em termos de participação de mercado, dados da Counterpoint Research mostram que, no mercado global de HBM no segundo trimestre de 2026, a SK Hynix liderou com 50% de participação, enquanto a Samsung Electronics respondeu por 32% e a Micron Technology deteve 18%, permanecendo na terceira posição no longo prazo.
Se a Micron Technology conseguir elevar sua capacidade mensal de HBM para aproximadamente 100.000 wafers até o final do ano e aumentar com sucesso a proporção de produtos HBM4 de 12 camadas, a diferença de capacidade entre a Micron e suas duas principais rivais deve diminuir significativamente. Para a Micron, essa não é apenas uma ação decisiva para disputar a participação no mercado de HBM, mas também um passo importante para converter a demanda por memória para IA em crescimento de receita.