SK Hynix ผนึกกำลังกับ TSMC จะสามารถครองความเป็นเจ้าตลาดหน่วยความจำ AI แบบปรับแต่งได้หรือไม่?

TradingKey - นายเช เท-วอน ประธานกรรมการ SK Group ได้พบปะหารือกับบริษัท TSMC เมื่อวันพุธที่ผ่านมาในระหว่างงาน COMPUTEX Taipei ( TSM) และนายซี.ซี. เว่ย ประธานกรรมการ โดยทั้งสองฝ่ายได้บรรลุข้อตกลงร่วมกันเกี่ยวกับแนวโน้มเทคโนโลยี AI ยุคหน้า และตกลงที่จะขยายความร่วมมือในด้านหน่วยความจำแบนด์วิธสูง (HBM) และการบรรจุชิปขั้นสูง นอกจากนี้ ข้อมูลจากเว็บไซต์อย่างเป็นทางการของ SK Hynix ระบุว่า ทั้งสองบริษัทจะร่วมกันบูรณาการเทคโนโลยี HBM ของ SK Hynix เข้ากับกระบวนการบรรจุชิปขั้นสูงของ TSMC

SK Hynix และ TSMC ขยายกำลังการผลิตพร้อมกัน

ก่อนที่ทั้งสองบริษัทจะประกาศความร่วมมืออย่างเป็นทางการ ต่างก็ได้เร่งขยายกำลังการผลิตอย่างแข็งขัน โดยในเดือนเมษายน SK Hynix ได้เริ่มโครงการลงทุนมูลค่า 19 ล้านล้านวอน (ประมาณ 1.285 หมื่นล้านดอลลาร์สหรัฐ) ในโรงงานบรรจุภัณฑ์ขั้นสูง P&T7 ในเมืองชองจู ประเทศเกาหลีใต้ โดยมุ่งเน้นไปที่การบรรจุภัณฑ์และการทดสอบ HBM รวมถึงชิปหน่วยความจำ AI รุ่นใหม่

สำหรับ TSMC คาดการณ์ว่ากำลังการผลิตบรรจุภัณฑ์ CoWoS จะพุ่งสูงขึ้นกว่า 125,000 เวเฟอร์ต่อเดือนภายในสิ้นปี 2569 ซึ่งคิดเป็นการเพิ่มขึ้นประมาณ 79% จากปี 2568 อย่างไรก็ตาม คำสั่งซื้อจาก Nvidia ( NVDA ), Broadcom ( AVGO ), AMD ( AMD) และลูกค้ารายอื่น ๆ ยังคงส่งผลให้กำลังการผลิตอยู่ในภาวะตึงตัว

ในมุมมองของตลาด ช่องว่างระหว่างอุปสงค์และอุปทานของ HBM ยังคงมีนัยสำคัญ โดยตามการคาดการณ์ของ SEMI ขนาดตลาด HBM จะเติบโตขึ้น 58% สู่ระดับ 5.46 หมื่นล้านดอลลาร์สหรัฐในปี 2569 ซึ่งคิดเป็นสัดส่วนเกือบ 40% ของตลาด DRAM แม้ว่า Samsung, SK Hynix และ Micron ( MU) จะได้จัดสรรกำลังการผลิตใหม่ถึง 70% ไปยัง HBM แล้ว แต่ภาวะการขาดแคลนโดยรวมยังคงสูงถึง 50% ถึง 60%

SK Hynix เปิดตัว HBM4E โดย TSMC จะเป็นผู้ให้บริการบรรจุภัณฑ์แบบรวมส่วนประกอบ (Integrated Packaging)

จุดมุ่งหมายเชิงกลยุทธ์ของความร่วมมือระหว่างทั้งสองฝ่ายกำลังมุ่งเน้นไปที่หน่วยความจำ AI แบบปรับแต่ง เพื่อรองรับความต้องการพลังการประมวลผล AI ที่ขยายตัวอย่างรวดเร็ว โดยก่อนหน้านี้ TSMC ระบุว่า HBM รุ่นถัดไปจะรวมตัวควบคุมหน่วยความจำเข้ากับเบสได (base die) โดยตรง ซึ่งจะช่วยประหยัดพื้นที่ลอจิกสำหรับชิปหลักและเพิ่มประสิทธิภาพการใช้พลังงาน

SK Hynix ระบุว่าความร่วมมือกับ TSMC จะช่วยให้บริษัทตอกย้ำความเป็นผู้นำในภาคส่วนหน่วยความจำ AI แบบปรับแต่งได้ โดยในงาน Computex ปีนี้ SK Hynix ได้จัดแสดงตัวอย่าง HBM4E 48GB 12Hi ซึ่งมีแบนด์วิดท์แบบสแต็กเดี่ยวที่ 4.0 TB/s เพิ่มขึ้น 38% เมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้า และมีความจุต่อหนึ่งไดเพิ่มขึ้น 33%

Chey Tae-won ยังเปิดเผยว่า SK Group จำเป็นต้องสร้างพันธมิตรในไต้หวันให้กว้างขวางยิ่งขึ้น โดยไม่จำกัดเพียงแค่ TSMC เท่านั้น ขณะเดียวกัน SK Hynix ยังตั้งเป้าที่จะเป็นซัพพลายเออร์ HBM รายหลักสำหรับระบบ Vera Rubin รุ่นถัดไปของ NVIDIA

ความร่วมมือครั้งนี้ถือเป็นก้าวสำคัญในแผนยุทธศาสตร์ของ SK Hynix เพื่อเพิ่มการลงทุนด้าน AI อย่างต่อเนื่อง โดย Nomura Securities คาดการณ์ว่าอัตราการเติบโตของรายได้ต่อปีของ SK Hynix จะอยู่ที่ประมาณ 30% ในช่วง 3 ถึง 5 ปีข้างหน้า

สำหรับ TSMC การขยายข้อได้เปรียบด้านการรับจ้างผลิตชิปลอจิกและบรรจุภัณฑ์ขั้นสูงไปยังห่วงโซ่อุปทานหน่วยความจำ เป็นขั้นตอนสำคัญในการสร้างระบบนิเวศการประมวลผล AI ที่สมบูรณ์ โดยปัจจุบันมูลค่าการผลิตหน่วยความจำทั่วโลกได้แซงหน้าการรับจ้างผลิตเวเฟอร์เป็นครั้งแรก และกลายเป็นแรงขับเคลื่อนหลักของการเติบโตในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ นอกจากนี้ การผนึกกำลังกับ SK Hynix ในด้านหน่วยความจำแบบปรับแต่งจะช่วยให้ TSMC ตอกย้ำขีดความสามารถด้านโซลูชันระดับระบบสำหรับลูกค้ารายใหญ่ เช่น NVIDIA

ความร่วมมือระหว่าง SK Hynix และ TSMC ขับเคลื่อนความต้องการอุปกรณ์ในกระบวนการบรรจุภัณฑ์

จากแรงหนุนของข่าวความร่วมมือดังกล่าว ส่งผลให้ความสนใจของตลาดที่มีต่อห่วงโซ่อุปทาน HBM และอุปกรณ์การบรรจุภัณฑ์ขั้นสูงที่เกี่ยวข้องเพิ่มสูงขึ้นอีก โดยก่อนหน้านี้ ความร่วมมือระหว่าง SK Group, TSMC และ Innolux ในด้าน Panel-Level Packaging (PLP) ได้ผลักดันให้หุ้นในกลุ่มที่เกี่ยวข้อง เช่น วัสดุฐานรองกระจก (Glass Substrates) ปรับตัวเพิ่มขึ้นอย่างมีนัยสำคัญมาแล้ว ดังนั้น การขยายความร่วมมือเชิงกลยุทธ์ในด้าน HBM และการบรรจุภัณฑ์ในครั้งนี้ จึงคาดว่าจะสร้างผลกระทบเชิงบวกที่ต่อเนื่องไปยังกลุ่มธุรกิจย่อยต่าง ๆ ซึ่งรวมถึงวัสดุ HBM, อุปกรณ์การบรรจุภัณฑ์ และบริการด้านการทดสอบ