샌디스크(SNDK) 주가 전망: 중국 제조사들, DRAM 및 NAND 업계 장벽 빠르게 돌파할 수도; 주가 1,100달러 하회하나?

TradingKey - 미 동부시간 7월 27일, 샌디스크( SNDK)는 장중 14% 이상 폭락하며 최저 1,226.9달러를 기록해 5월 초 이후 최저치를 나타냈다. 보도에 따르면 중국 메모리 반도체 제조업체 창신스토리지가 오늘 상장하며 86억 달러 규모의 기업공개(IPO)를 완료했다. 해당 주식은 거래 첫날 466% 폭등했으며, 이는 메모리 반도체 시장 내 중국의 점유율 확대에 대한 시장의 신뢰를 반영한다.

카운터포인트리서치 분석가들은 표준화 수준이 높은 범용 DRAM 및 낸드 시장이 중국 메모리 제조업체들의 영향을 받을 수 있으며, 이에 따라 업계의 경쟁 구도와 투자 논리가 구조적 변화를 겪고 있다고 분석했다. 한편, 기술 장벽이 극도로 높은 고대역폭메모리(HBM)는 향후 몇 년간 마이크론( MU ), 삼성 및 SK하이닉스( SKHY )에 의해 계속 독점될 것이다.

AI 연산력을 지원하는 핵심 반도체로서 HBM의 기술 장벽은 범용 메모리 제품을 훨씬 능가한다. 카운터포인트는 중국 제조업체들이 아무리 빨라도 2027년 상반기가 되어서야 HBM3 양산을 달성할 수 있을 것이라고 밝혔다. 그때가 되면 해외 3대 거두는 이미 HBM4 양산 단계에 진입해 기술 로드맵을 차세대로 전환하며 양측 간 약 한 세대의 기술 격차를 유지할 것으로 보인다.

그러나 범용 DRAM 및 낸드의 업계 장벽은 중국 제조업체들에 의해 빠르게 돌파될 수 있다. 이들 제품은 표준화 수준이 높고 고객의 구매 결정이 가격에 매우 민감하며, 핵심 장벽은 독점 기술보다는 자본 투자에 있기 때문이다. 웨스턴디지털( WDC)과 샌디스크는 이 분야에서 비교적 경쟁 우위가 약해 중국 제조업체들로 인한 타격을 가장 먼저 받게 될 것이다.

보도에 따르면 지난 1년간 전체 메모리 가격은 거의 4배 폭등했으며, 상승분의 대부분은 최근 6개월 동안에 집중되었다. 그러나 가격 상승을 주도한 핵심 병목은 시장에서 흔히 생각하는 데이터센터용 HBM이 아니라 스마트폰, PC, 가전제품 등 최종 소비자 부문이며, 특히 DRAM의 수급 불균형이 두드러졌다. 가장 높은 가격 상승세를 보이고 가장 높은 수익성을 보장하는 이 소비자용 범용 메모리 시장은 바로 중국 제조업체들이 생산 능력을 집중적으로 방출하려는 핵심 목표 시장이다. 풍부한 수익 잠재력은 이들 후발 주자에게 훌륭한 진입 시기를 제공한다.

샌디스크 2시간 주가 차트, 출처: TradingView

샌디스크의 주가 차트에 따르면, 오늘 주가가 장중 14% 이상 폭락하며 주기적 신저점을 경신했고, 1차 지지선인 1,325달러를 하향 돌파해 고점 대비 하향 추세로의 전환을 확정했다.

현재로서는 피보나치 1.272 확장선(1,224달러)과 주요 심리적 마지노선인 1,200달러에 주목해야 한다. 이 선이 무너지면 기술적 매도와 손절매 주문이 결합하여 피보나치 1.618 확장선(1,095달러)까지 추가 하락 공간이 열릴 수 있다.

급락 후에는 일반적으로 반등이 뒤따르며, 1차 목표는 주기적 저점(1,325달러)을 회복하는 것이다. 다만 이 가격대는 사실상 붕괴되어 현재 저항선으로 작용하고 있다. 아울러 하락 추세는 대개 하루 만에 끝나지 않으므로, 시장에서 반등이 일어나더라도 그 수준은 매우 제한적일 것이다.

따라서 반등이 나타나더라도 이는 하락 추세의 지속 과정일 가능성이 높다. 극심한 거래량 급감, 긴 아래꼬리 형성, 주요 라운드 피겨(정수) 가격대 안착 등 명확한 바닥 확인 신호가 나타날 때까지 기다리는 것이 바람직하다.