Ações de memória recuam com queda de 7% da SanDisk; CXMT revela arquitetura DRAM de última geração, mas Morningstar diz que comercialização ainda enfrenta grandes obstáculos

TradingKey — Em 12 de outubro, pelo horário do leste dos EUA, as ações do setor de memória despencaram em bloco, diante das crescentes preocupações do mercado em relação à arquitetura DRAM de próxima geração apresentada pela fabricante chinesa de DRAM ChangXin Memory Technologies (CXMT) e seus planos de lançar produtos de memória para servidores relacionados até o final do ano, alimentando receios de uma intensificação da concorrência no futuro mercado de memória para servidores.

De acordo com dados da empresa de pesquisa de mercado Counterpoint, com base na receita global de fornecedores de DRAM, a ChangXin Technologies deteve uma participação de mercado de 7% no segundo trimestre de 2026, ocupando a quarta posição global. Se a tecnologia for comercializada com sucesso, espera-se que a ChangXin reduza seus custos unitários de memória, pressionando a fatia de mercado e as margens de lucro dos fornecedores atuais.

Até o fechamento desta matéria, o Roundhill Memory ETF (DRAM) recuou 4,61%, a SanDisk (SNDK) caiu 7,12%, a SK Hynix (SKHY) cedeu 4,20%, a Micron Technology (MU) perdeu 4,70%, a Seagate Technology (STX) recuou 3,18% e a Western Digital (WDC) caiu 2,44%.

Cotação do ETF DRAM, Fonte: TradingView

O presidente da ChangXin Memory Technologies, Kanyu Cao, declarou em 10 de outubro que a empresa prevê lançar produtos DDR5 RDIMM de próxima geração com a arquitetura 4F² até o final do ano. A importância comercial desse avanço reflete-se principalmente na área da célula de memória. Atualmente, a DRAM convencional utiliza a arquitetura 6F², em que F representa o tamanho mínimo do recurso no processo de fabricação. Sob o mesmo valor de F, a transição de 6F² para 4F² pode, teoricamente, reduzir a área de uma única célula de memória em cerca de um terço. O analista da Morningstar, Jing Jie Yu, também destacou que a nova estrutura anunciada pela ChangXin reduz a área da célula de memória em cerca de 30%.

Para os fabricantes de DRAM, espera-se que uma menor área de célula de memória aumente a produção de memória por wafer. Se os rendimentos da produção em massa se mantiverem estáveis e os custos adicionais do processo não anularem os ganhos decorrentes do aumento de densidade, a expectativa é que os custos por bit diminuam. Consequentemente, a ChangXin poderá ganhar maior flexibilidade de preços ou melhorar suas margens de lucro mantendo o mesmo preço de venda.

Uma das principais inovações apresentadas pela ChangXin desta vez é a arquitetura de transistores Vertical Surround Gate (VSG). Ao permitir que a porta controle a corrente elétrica de forma mais eficaz, essa estrutura visa reduzir a corrente de fuga e os efeitos de canal curto, enquanto a disposição vertical ajuda a diminuir a área planar ocupada pelos transistores. Isso oferece um novo caminho tecnológico para que a DRAM continue aumentando a densidade à medida que o dimensionamento tradicional se torna cada vez mais difícil.

Vale ressaltar que ainda existe uma distância entre avanços técnicos e a comercialização bem-sucedida em produção em massa. Os analistas da Morningstar acreditam que pode ser "extremamente difícil" para a ChangXin comercializar essa estrutura, sendo que os principais desafios incluem a consistência durante a produção em escala. O desempenho alcançado nas fases experimentais ou de amostra precisa ser replicado de forma estável na produção contínua para se traduzir em produtos qualificados e lucros reais.

Portanto, embora o lançamento de produtos até o final do ano seja um marco digno de atenção, ainda não se pode inferir que a ChangXin alcançará uma oferta de baixo custo e em larga escala até lá. O RDIMM é um formato de módulo de memória amplamente utilizado em servidores, e seus requisitos operacionais englobam não apenas velocidade, mas também estabilidade contínua de longo prazo, confiabilidade e compatibilidade com plataformas de servidores. Gigantes internacionais do setor de memória acumularam fortes vantagens de engenharia e de relacionamento com clientes nessa área; para expandir sua participação de mercado, a ChangXin precisa superar o duplo desafio da fabricação e da qualificação de clientes.

Para os fornecedores de DRAM já estabelecidos, a pressão potencial vem tanto do lado dos custos quanto da oferta. Se a ChangXin alcançar uma produção em massa estável e expandir a oferta, custos unitários menores poderão ajudá-la a conquistar pedidos, enquanto a adição de oferta efetiva também poderá exercer pressão sobre os preços da DRAM.

Por outro lado, avaliar o impacto real do anúncio da ChangXin sobre as ações do setor de memória exige analisar o mix de produtos de cada fabricante. A concorrência potencial enfrentada pelo DDR5 para servidores não pode ser equiparada diretamente a um impacto equivalente nos negócios de HBM. Daqui para frente, o que realmente determinará a pressão competitiva são os rendimentos da produção em massa da ChangXin, a qualificação dos clientes e a escala real de oferta.