샌디스크 7% 급락에 메모리주 매도세; CXMT 차세대 DRAM 아키텍처 공개, 하지만 모닝스타는 상용화가 여전히 큰 난관에 직면해 있다고 분석

TradingKey - 미국 동부시간 10월 12일, 중국 DRAM 제조업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 선보인 차세대 DRAM 아키텍처와 연말까지 관련 서버용 메모리 제품을 출시하겠다는 계획으로 인해 향후 서버용 메모리 경쟁 심화 우려가 커지면서 메모리 관련 주가가 일제히 급락했다.

시장조사업체 카운터포인트(Counterpoint) 데이터에 따르면, 글로벌 DRAM 제조업체 매출 기준 창신테크놀로지는 2026년 2분기 시장 점유율 7%를 기록하며 전 세계 4위를 차지했다. 이 기술이 성공적으로 상용화될 경우 창신메모리는 비트당 메모리 생산 원가를 낮출 수 있어 기존 업체들의 점유율과 수익성에 압박을 가할 것으로 전망된다.

보도 시점 기준 라운드힐 메모리 ETF(DRAM)는 4.61% 하락했고, 샌디스크(SNDK)는 7.12% 하락했으며, SK하이닉스(SKHY)는 4.20% 하락했고, 마이크론 테크놀로지(MU)는 4.70% 하락했으며, 씨게이트 테크놀로지(STX)는 3.18% 하락했고, 웨스턴디지털(WDC)은 2.44% 하락했다.

DRAM ETF 주가, 출처: TradingView

카뉴 차오(Kanyu Cao) 창신메모리테크놀로지 사장은 10월 10일 연말까지 4F² 아키텍처 기반의 차세대 DDR5 RDIMM 제품을 출시할 것으로 예상한다고 밝혔다. 이번 기술 진보의 상업적 의미는 주로 메모리 셀 면적 축소에서 나타난다. 현재 주류 DRAM은 공정 내 최소 피처 사이즈를 F로 표기하는 6F² 아키텍처를 사용한다. 동일한 F 값에서 6F²에서 4F²로 전환할 경우 이론적으로 단일 메모리 셀 면적을 약 3분의 1 줄일 수 있다. 모닝스타의 징제 위(Jing Jie Yu) 애널리스트 역시 창신메모리가 발표한 새 구조가 메모리 셀 면적을 약 30% 줄여준다고 지적했다.

DRAM 제조업체 입장에서 메모리 셀 면적 축소는 웨이퍼당 메모리 생산량을 늘릴 것으로 기대된다. 양산 수율이 안정적으로 유지되고 추가적인 공정 비용이 집적도 향상에 따른 이점을 상쇄하지 않는다면 비트당 원가가 하락할 전망이다. 이에 따라 창신메모리는 가격 책정의 유연성을 더 확보하거나 동일한 판매 가격에서 수익성을 개선할 수 있게 된다.

이번에 창신메모리가 도입한 핵심 혁신 기술은 수직 게이트 서라운드(VSG) 트랜지스터 아키텍처다. 게이트가 전류를 더 효과적으로 제어할 수 있도록 함으로써 누설 전류와 단채널 효과를 줄이는 한편, 수직 배치를 통해 트랜지스터가 차지하는 평면 면적을 줄이도록 설계되었다. 이는 기존의 미세화(Scaling) 방식이 점차 어려워지는 상황에서 DRAM의 집적도를 지속적으로 높일 수 있는 새로운 기술적 경로를 제공한다.

다만 기술적 돌파구와 성공적인 양산 상용화 사이에는 여전히 격차가 존재한다는 점에 유의해야 한다. 모닝스타 애널리스트들은 창신메모리가 이 구조를 상용화하는 것이 "극도로 어려울 수 있다"고 보고 있으며, 주요 과제로는 대량 생산 시의 일관성 확보를 꼽고 있다. 실험이나 샘플 단계에서 달성한 성능이 연속 생산 과정에서도 안정적으로 재현되어야 양품 합격 제품 및 실제 이익으로 이어질 수 있기 때문이다.

따라서 연내 제품 출시는 주목할 만한 이정표이지만, 이를 바탕으로 창신메모리가 그때까지 대규모 저비용 공급을 달성할 것이라고 단정할 수는 없다. RDIMM은 서버에서 널리 사용되는 메모리 모듈 규격으로, 작동 요구사항에는 속도뿐만 아니라 장기적인 연속 안정성, 신뢰성, 서버 플랫폼과의 호환성이 포함된다. 글로벌 메모리 대기업들은 이 분야에서 강력한 고객 기반과 엔지니어링 강점을 축적해 왔으며, 창신메모리가 시장 점유율을 확대하려면 제조 및 고객 인증이라는 두 가지 장벽을 모두 넘어야 한다.

기존 DRAM 제조업체 입장에서 잠재적 압박은 비용과 공급 두 가지 측면 모두에서 비롯된다. 창신메모리가 안정적인 양산을 달성하고 공급을 확대할 경우, 낮아진 단위 원가를 바탕으로 수주에 유리해질 수 있으며, 유효 공급이 추가됨에 따라 DRAM 가격에도 하락 압력을 가할 수 있다.

한편, 이번 창신메모리의 발표가 메모리 관련 주식에 미치는 실제 영향을 평가하려면 각 제조업체의 제품 포트폴리오(믹스)를 따져볼 필요가 있다. 서버용 DDR5가 직면한 잠재적 경쟁을 HBM 사업에 미치는 파급력과 직접 동일시할 수는 없기 때문이다. 향후 경쟁 압력을 실질적으로 결정짓는 요소는 창신메모리의 양산 수율, 고객 인증, 그리고 실제 공급 규모가 될 것이다.