인텔 파운드리, 더 큰 AI 칩을 위한 하이 NA EUV 고도화를 위해 ASML과의 파트너십 강화

TradingKey - 인텔(INTC)의 파운드리 사업부가 ASML(ASML)과의 하이 NA EUV 파트너십을 한층 강화하고 있다. 최근 ASML은 대형 AI 및 데이터센터용 반도체 제조를 위한 차세대 하이 NA EUV 장비를 발전시키기 위해 인텔, 엔비디아(NVDA), TSMC(TSM), 삼성전자 등 주요 반도체 제조업체들과 협력해 더 큰 포토마스크를 개발할 계획이라고 밝혔다.

현재 널리 사용되는 ASML의 EUV 노광 장비는 면적 약 800제곱미리미터(mm²) 수준의 대형 반도체를 제조할 수 있으며, 엔비디아 등 주요 기업의 고성능 데이터센터 프로세서는 이미 이 크기 한계에 근접하고 있다. 그러나 차세대 하이 NA EUV는 더 미세한 반도체 제조가 가능한 반면, 현재는 더 작은 포토마스크 크기로 인해 제약을 받고 있어 기존 대형 AI 반도체와 동일한 표면적의 반도체를 직접 제조하기는 어려운 상황이다.

이러한 문제를 해결하기 위해 ASML은 향후 하이 NA EUV로 대형 데이터센터 반도체를 제조할 수 있도록 더 큰 포토마스크 기술을 발전시킬 계획이다. 마르코 피터스(Marco Pieters) ASML 최고기술책임자(CTO)는 업계가 이 기술 업그레이드를 성공적으로 마치면 하이 NA EUV 시스템의 생산 효율성이 약 40% 향상될 것으로 전망된다고 밝혔다. ASML은 2031년경 시범 생산 라인을 시연하고, 2033년까지 양산 준비를 마칠 계획이다.

인텔은 하이 NA EUV 도입에 가장 빠른 진전을 보이는 반도체 제조업체 중 하나이자 ASML의 핵심 파트너다. 2024년 인텔은 미국 오레곤에 세계 최초의 상용 하이 NA EUV 시스템을 가장 먼저 도입했다. 올해 7월에는 인텔 파운드리가 이 기술을 활용해 인텔 18A 공정 노드 기반의 특정 팬서 레이크(Panther Lake) 프로세서를 제조했으며, 관련 제품 출하를 시작했다.

현재까지 인텔은 장비 검증, 연구개발(R&D), 실제 양산에 사용된 웨이퍼를 포함해 하이 NA EUV를 통해 누적 100만 장 이상의 300mm 웨이퍼를 처리했다. 당분간 인텔은 표준 크기의 포토마스크를 계속 사용하며 스티칭(stitching) 기술을 통해 더 큰 반도체를 제작하는 한편, 차세대 대형 포토마스크 솔루션 개발에도 적극 참여할 예정이다.

ASML은 대형 포토마스크 기술이 성공적으로 구현될 경우 하이 NA EUV로 제조 가능한 반도체 크기가 확대될 뿐만 아니라 장비 생산 효율성도 약 40% 향상될 것으로 예상된다고 밝혔다. 회사는 2031년경 시범 생산 라인을 구축하고 2033년까지 양산 준비 완료를 목표로 하고 있다.