Micron lança memória DDR5 de 512 GB para servidores, projetada para reduzir o consumo de energia operacional em mais de 60%

TradingKey - A Micron Technology (MU) anunciou, em 15 de setembro, que demonstrou com sucesso o primeiro módulo RDIMM DDR5 de 512GB do mundo, com velocidades de até 9.200 MT/s em múltiplas plataformas de servidores. De acordo com o comunicado oficial da Micron, o módulo utiliza tecnologia avançada de encapsulamento com interconexão vertical, permitindo que um único servidor dual-socket de 24 slots suporte até 12TB de memória DDR5, reduzindo o consumo de energia operacional em mais de 60% em comparação com quatro RDIMMs de 128GB.

Grandes modelos de linguagem (LLMs), IA agêntica, inferência em tempo real e cargas de trabalho de CPU com alto número de núcleos são os principais impulsores desta onda de demanda por memória para servidores. Se a capacidade não acompanhar o ritmo, os dados precisam ser transferidos repetidamente entre a memória e camadas de armazenamento mais lentas, aumentando tanto a latência quanto o consumo de energia. O valor do RDIMM de 512GB está em reter conjuntos de dados maiores na memória principal, reduzindo a dependência de camadas de armazenamento mais lentas e minimizando as dispendiosas transferências de dados.

Darrin Alves, Chief Information Officer de Plataformas de Infraestrutura do JPMorgan Chase, afirmou que tecnologias de memória de maior capacidade ajudam as empresas a suportar cargas de trabalho maiores na memória, aprimorar a utilização de recursos e aumentar a flexibilidade de escalabilidade necessária nos ambientes de computação modernos.

Para os operadores de data centers, outro grande destaque desse módulo de memória de ultra-alta densidade é a eficiência energética. Em comparação com uma configuração que utiliza quatro módulos de 128GB, um único módulo de 512GB reduz o consumo de energia operacional em mais de 60%, prometendo diminuir o consumo de energia dos data centers enquanto expande a capacidade de memória.

Avanço da Micron em Tecnologia de Memória: Da Adição de Slots ao Empilhamento Vertical

No passado, a abordagem convencional para aumentar a capacidade de memória dos servidores era adicionar mais módulos de memória à placa, ao custo de aumentos simultâneos no consumo de energia, na dissipação de calor e no número de slots.

Desta vez, a Micron focou no encapsulamento: empilhando verticalmente múltiplos dies de DRAM e interconectando-os por meio de vias através do silício (TSVs) para levar a densidade ao limite em um único pacote de DRAM, enquanto mantém o desempenho exigido pelas arquiteturas modernas de data centers. Com um único módulo ocupando o lugar de vários pentes de memória, os fabricantes de servidores não precisam reprojetar sistemas inteiros para aumentar a capacidade.

Raj Narasimhan, vice-presidente sênior e gerente-geral da Unidade de Negócios de Memória para Nuvem da Micron, declarou que a Micron continua a ditar o ritmo da tecnologia de memória, com o RDIMM de 512 GB permitindo que os servidores alcancem uma capacidade de memória de múltiplos terabytes nas dimensões físicas existentes, suportando maiores cargas de trabalho de IA e bancos de dados, maior densidade de virtualização e eficiência energética superior.

De acordo com a Micron, o consumo de energia operacional do RDIMM de 512 GB é mais de 60% menor do que o de quatro RDIMMs de 128 GB. Para a mesma capacidade de 512 GB, o primeiro depende de um único módulo, um conjunto de trilhas e um único sistema de alimentação de energia, enquanto o segundo exige quatro módulos trabalhando em paralelo.

A Micron afirma que, em cargas de trabalho analíticas com restrição de memória, como Spark Support Vector Machines (SVM), o RDIMM de 512 GB oferece um ganho de desempenho de até 1,4x em comparação com uma configuração DDR5 de 256 GB. Para plataformas de banco de dados e cache intensivas em memória, como RocksDB e Redis, uma maior capacidade por módulo se traduz em maior throughput, maior concorrência e maior facilidade para escalonar conjuntos de dados.

AMD e Intel Avançam Simultaneamente na Validação do Ecossistema

A AMD e a Intel estão atualmente validando este RDIMM DDR5 de 512 GB.

Amit Goel, vice-presidente de Engenharia de Soluções de Plataforma de Computação e IA Empresarial da AMD, declarou que, à medida que a IA e as cargas de trabalho intensivas em dados reformulam a demanda por infraestrutura, a colaboração de engenharia entre a AMD e a Micron une a inovação em computação e memória, ajudando os clientes a extrair todo o valor das plataformas baseadas em AMD.

Karin Eibschitz Segal, gerente-geral de Engenharia de Plataforma e Sistemas do Grupo de Data Center da Intel, destacou que o crescimento da IA e de outras cargas de trabalho intensivas em dados está elevando as exigências para a infraestrutura de servidores, com a capacidade e a largura de banda de memória tornando-se cada vez mais críticas para o desempenho geral do sistema; a Intel está validando o RDIMM DDR5 de 512 GB com a Micron para se preparar para as plataformas de servidores de próxima geração.

A Micron prevê que o RDIMM de 512 GB entrará em produção em massa no segundo semestre de 2027, alinhando seu cronograma à demanda dos clientes. Atualmente, este RDIMM DDR5 de 512 GB foi demonstrado em várias plataformas de servidores, com a AMD e a Intel conduzindo validações simultaneamente; no entanto, ainda resta uma janela de cerca de um ano e meio entre a demonstração e a implantação em larga escala. Durante esse período, o foco competitivo na memória de servidores mudará de "conectar mais módulos" para "empilhar maior capacidade por módulo". O equilíbrio entre capacidade, largura de banda e eficiência energética determinará o tamanho do modelo e a exigência de processamento de banco de dados que os servidores de IA de próxima geração poderão suportar.