Upgrade na Parceria Samsung e Nvidia: HBM4E, HBM5 e Fundição de Chips de Condução Autônoma Entram em Discussões Substanciais

TradingKey - Em 8 de junho, horário de Seul, Jun Young-hyun, chefe da divisão de chips da Samsung Electronics, afirmou que a empresa manteve discussões extensas com a NVIDIA ( NVDA) o CEO Jensen Huang, sobre a cooperação em fundição para chips de próxima geração e tecnologias futuras, como HBM4E e HBM5. Os dois lados estão colaborando em chips de direção autônoma para nós de 4nm e 8nm, bem como no segmento de chips aceleradores da NVIDIA.

Pouco antes da reunião, a NVIDIA confirmou que as três gigantes de memória — Samsung Electronics, SK Hynix e Micron ( MU) Technology — todas passaram na qualificação HBM4 e entraram na fase de produção em massa, e fornecerão o HBM4 para a plataforma de IA de próxima geração da NVIDIA, Vera Rubin. A Vera Rubin está agora em produção total, com as entregas programadas para começar no terceiro trimestre deste ano.

Do HBM4 ao HBM5: Samsung acelera posicionamento estratégico

Jun Young-hyun revelou que as duas partes mantiveram discussões aprofundadas sobre planos de cooperação de longo prazo para HBM4E e HBM5. A Samsung Electronics foi a primeira no mundo a produzir em massa a sexta geração HBM4 em fevereiro deste ano, fornecendo posteriormente amostras de 12 camadas da sétima geração HBM4E a clientes globais no final de maio, levando apenas cerca de três meses entre a produção em massa da HBM4 e o envio das amostras da HBM4E.

A Samsung divulgou oficialmente que a HBM4E atinge uma velocidade máxima de transferência por pino de até 16 Gbps e uma largura de banda total de 4 TB/s por stack, e espera-se que seja equipada nos aceleradores de IA de próxima geração da NVIDIA, como o Vera Rubin Ultra, a ser lançado no segundo semestre do próximo ano.

Na Computex Taipei 2026, a Samsung apresentou a oitava geração HBM5 pela primeira vez, e a solução térmica integrada para o encapsulamento HPB acompanhante já concluiu a validação de campo na HBM4E.

O analista da KB Securities, Lee Seung-woo, projetou anteriormente que, se a Samsung fechar um contrato de fornecimento de HBM4E com a NVIDIA, isso poderá gerar de US$ 8 bilhões a US$ 10 bilhões em receita anual para o negócio de memórias da Samsung.

Cooperação em foundries deve se expandir

Atualmente, a Groq, unicórnio americana de chips de inferência de IA, contratou a Samsung para produzir o Groq 3 LPU utilizando seu processo de 4nm. Han Jin-man, presidente da Samsung Foundry, afirmou: "Nosso processo de 4nm não é de forma alguma inferior". As duas partes discutiram uma cooperação de longo prazo, e o mercado espera que a Samsung garanta mais pedidos de fundição de chips de IA nos nós de 3nm e 2nm no futuro.

Na última conferência GTC, a NVIDIA integrou o Groq 3 LPU à sua plataforma Vera Rubin para criar uma solução de inferência heterogênea "GPU+LPU". Durante sua visita à Coreia do Sul, o CEO Jensen Huang enfatizou que a escassez de suprimentos de chips de memória persistirá por vários anos, observando que "toda a cadeia de suprimentos da indústria, desde wafers e encapsulamento até fotônica de silício, está enfrentando escassez generalizada de suprimentos". Ele também afirmou que as ações relacionadas à IA estão muito baratas atualmente e que a demanda de longo prazo permanece forte.

As ações da Samsung despencaram mais de 10% nesta segunda-feira.

A Samsung Electronics registrou uma forte correção na segunda-feira, apesar da expectativa do mercado por notícias sobre parcerias. Impactado pela Broadcom ( AVGO ), cujas projeções decepcionantes para chips de IA e os dados do payroll não agrícola de maio nos EUA mais fortes do que o esperado fizeram o índice sul-coreano KOSPI despencar mais de 8% no início do pregão, acionando o circuit breaker e fechando em queda de 8,29%. A Samsung Electronics encerrou a 295.500 won, com queda de 10,18%.

[Fonte: TradingView]