Ações da Samsung Electronics saltam 4% com avanço em tecnologia de memória de próxima geração

TradingKey - A Samsung Electronics anunciou sua tecnologia de memória de última geração, impulsionando uma recuperação de aproximadamente 4% no preço de suas ações.

Durante o horário de negociação asiático em 5 de agosto, a Samsung Electronics abriu em alta e subiu, avançando mais de 4% em determinado momento para romper a barreira dos 250.000 wons sul-coreanos (aproximadamente US$ 175,45) e atingir a máxima de 254.000 wons. Atualmente, o preço das ações da Samsung Electronics recuou ligeiramente, sendo negociado a 248.500 wons.

Gráfico do preço das ações da Samsung Electronics, Fonte: TradingView

A recuperação no preço das ações da Samsung Electronics hoje foi impulsionada principalmente por fatores positivos, incluindo o efeito de contágio da disparada das ações de semicondutores nos EUA, o lançamento de novas especificações de tecnologia de memória (HBF/HBM4) e a força sustentada do superciclo impulsionado pela demanda por IA. No entanto, outro fator crucial ignorado pelo mercado é a introdução de novos produtos e modelos conceituais pela Samsung Electronics.

Ontem, a Samsung Electronics revelou seu protótipo BV-NAND (V10 Bonding V-NAND) na conferência Future of Memory and Storage (FMS) em Santa Clara, Califórnia. Em comparação com a geração anterior V9 NAND, ele oferece vantagens significativas, incluindo um aumento de mais de 50% na densidade de armazenamento, além de um desempenho aprimorado de leitura/gravação e de entrada/saída.

Além disso, a Samsung apresentou os primeiros modelos conceituais de arquitetura zHBM e zNAND-O do setor. De acordo com a Samsung, espera-se que essa tecnologia de wafer bonding atinja uma densidade de armazenamento mais de 10 vezes superior à da memória HBM5 convencional, ao mesmo tempo em que triplica a eficiência energética e reduz a resistência térmica em mais da metade.