A SK hynix está fazendo mais uma grande aposta em inteligência artificial. A gigante sul-coreana de memória aprovou na sexta-feira 54 trilhões de won (cerca de US$ 38 bilhões) em novos investimentos em manufatura, autorizando duas novas fábricas de chips que expandirão a produção de chips de memória que alimentam os sistemas de IA. A medida reflete a crença da empresa de que a demanda por infraestrutura de IA permanecerátronpor anos — e que a memória, e não os processadores, continua sendo a maior limitação do setor.
Este anúncio surge na sequência de resultados trimestrais recordes que demonstraram a importância da memória de alta largura de banda (HBM) no atual boom da IA. Conforme relatado anteriormente pela Cryptopolitan, a SK Hynix registrou receita de 79,3 trilhões de won no segundo trimestre e lucro líquido de 60,5 trilhões de won devido à crescente demanda pela tecnologia HBM. A empresa iniciou grandes entregas de chips HBM4 para manter sua liderança no campo da memória para IA.
O investimento é crucial para empresas que fabricam chips de IA e serviços em nuvem, pois dispositivos aceleradores sofisticados dependem da integração de múltiplas pilhas de HBM próximas aos chips, utilizando tecnologia de encapsulamento avançada, como a CoWoS da TSMC. Aumentar a produção de chips de GPU por si só não resolveria o problema se a memória HBM não estiver disponível em quantidade suficiente.
Segundo um relatório publicado pela Omdia, a memória deverá representar mais de 50% da receita do mercado global de semicondutores até 2026, devido ao aumento da demanda por DRAM e NAND em função da inteligência artificial. A TrendForce afirma que a oferta de DRAM e HBM permanecerá restrita pelo menos até 2027, visto que a capacidade de fabricação de encapsulamento avançado será limitada, apesar de diversos avanços em toda a indústria.
A SK hynix fornece HBM para a Nvidia e outros fabricantes de aceleradores de IA, o que significa que suas intenções de produção se tornam um indicador-chave da velocidade de expansão da infraestrutura de IA. Esse investimento segue Cryptopolitansobre o anúncio do CEO da Nvidia, Jensen Huang, de uma cooperação de US$ 500 bilhões com o Grupo SK, demonstrando a crescente importância da produção de memória.
A SK hynix anunciou que um montante de 35,2 trilhões de won será destinado à construção de sua fábrica de DRAM Y2, localizada em Yongin. Simultaneamente, 19,1 trilhões de won serão utilizados na construção da fábrica de memória flash NAND M17, em seu campus de Cheongju. Estima-se que o investimento total chegue a cerca de US$ 38 bilhões.
Esses projetos são parte integrante dos planos de desenvolvimento mais abrangentes da SK hynix. A empresa já investiu 600 trilhões de won no Polo de Semicondutores de Yongin e outros 100 trilhões de won na expansão de Cheongju, enquanto a construção da fábrica vizinha Y1 já está em andamento.
A empresa está tomando medidas para fortalecer sua posição em memória de IA. A SK hynix recebeu 58% da receita global de HBM no primeiro trimestre de 2026, de acordo com o Memory Tracda Counterpoint Research, com a Samsung (21%) e a Micron (21%) logo atrás.
A HBM é hoje um dos materiais raros na indústria de IA. Diferentemente dos materiais DRAM convencionais, ela utiliza tecnologia de empilhamento, tecnologia de interconexões através do silício (TSV) e tecnologia de encapsulamento complexa, o que a torna extremamente difícil de fabricar.
Segundo as projeções da Omdia, haverá um crescimento de 94,1% na indústria de semicondutores em 2026, impulsionado pela demanda por NAND e DRAM relacionada à inteligência artificial.
A escassez de oferta já começou a impactar os planos de desenvolvimento de produtos. Por exemplo, a Nvidia agora está considerando HBM de 8 núcleos e HBM4 para seu próximo acelerador Rubin Ultra, em vez da solução HBM4e de 12 núcleos planejada anteriormente, devido à preocupação de que a menor disponibilidade de DRAM em 2027 possa prejudicar a produção de módulos HBM.
Essa dinâmica significa que os fornecedores de memória controlam cada vez mais a rapidez com que o hardware de IA pode chegar ao mercado. Um aumento na capacidade de memória leva ao crescimento das remessas de aceleradores, enquanto a escassez de memória força os fabricantes a revisar o design de seus produtos de acordo com a quantidade de memória disponível.
Os analistas preveem uma continuidade da restrição de oferta, uma vez que ainda levará vários anos até que as novas fábricas estejam operacionais.
Segundo a SK hynix, a fábrica Y2 deverá produzir tanto produtos HBM quanto produtos DRAM de última geração. A construção começará em julho de 2027, com a sala limpa prevista para junho de 2029. A cerimônia de lançamento da pedra fundamental da fábrica M17 ocorrerá em fevereiro de 2027, e sua sala limpa estará pronta em dezembro de 2028.
Segundo a SK hynix, este investimento serve como base para uma transição que deverá levar tempo, em vez de ser apenas uma tendência passageira da IA. A empresa indica que, com base nas previsões da Omdia, prevê um crescimento anual composto (CAGR) de 19% na demanda global por DRAM e NAND até 2030, confirmando assim a crença da SK hynix na relevância da produção em massa de memória para se manter competitiva na era da inteligência artificial.
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