일론 머스크가 중국의 대규모 제조가 DRAM 지형을 재편할 수 있다고 밝힌 가운데 창신메모리(CXMT)의 신규 DRAM 아키텍처 진전에 시장 우려 고조

TradingKey - 중국 D램 제조업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 고밀도 메모리 아키텍처를 발전시킴에 따라 시장의 우려가 커지고 있으며, 투자자들은 중국 업체들이 범용 D램 공급, 가격 및 시장 점유율에 미칠 잠재적 영향을 재평가하기 시작했습니다.

테슬라(TSLA) 및 스페이스X(SPCX) 창립자인 일론 머스크는 소셜 플랫폼 X를 통해 중국이 특정 제품의 제조 공정을 습득하고 나면 그 확장 능력은 세계 다른 지역을 훨씬 능가한다고 밝혔습니다. 그는 리튬이온 배터리와 태양광 제품을 예로 들며 중국이 제조 규모 면에서 분명한 우위를 점하고 있다고 지적했습니다. 다만 로켓 발사 시 궤도에 진입시키는 유효하중 수송량에서 미국이 여전히 세계 다른 지역을 크게 앞서고 있어 스페이스X는 드문 예외에 해당한다고 덧붙였습니다.

머스크는 메모리 반도체 역시 유사한 궤적을 따를 수 있다고 덧붙였습니다. 그는 불과 몇 년 전만 해도 RAM이 저마진 범용 제품으로 간주되었으며, LP5 및 LP6와 같은 제품의 표준화된 설계는 자연스럽게 다양한 제조업체 간의 대규모 생산에 유리하다고 지적했습니다. 중국 업체들이 제조 및 수율 문제를 신속하게 해결할 수 있다면 범용 RAM 시장의 경쟁 구도는 한층 더 큰 변화를 겪을 수 있습니다.

이러한 발언은 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 차세대 D램 아키텍처 개발에 속도를 내는 가운데 나왔습니다. 회사 측은 2026년 말까지 4F² 아키텍처를 활용한 차세대 DDR5 RDIMM 제품을 출시할 것으로 예상된다고 밝혔습니다. 현재 주류인 66F² 아키텍처와 비교해 4F²는 단일 메모리 저장 단위의 셀 면적을 줄여 이론적으로 단일 웨이퍼에 더 많은 저장 단위를 집적하는 데 도움이 됩니다.

[출처: X]

D램 제조업체의 입장에서 이 기술의 핵심 가치는 용량 증대뿐만 아니라 원가 구조 개선에도 있습니다. CXMT가 대량 생산 시 안정적인 수율을 유지할 수 있다면 웨이퍼당 유효 비트 생산량이 증가하여 비트당 제조 원가가 절감될 것으로 예상됩니다. 이에 따라 회사는 가격 경쟁에서 더 큰 유연성을 확보하거나 동일한 판매 가격에서 손익 마진을 개선할 수 있습니다.

하지만 머스크의 발언은 시장이 메모리 제품의 유형을 차별화하고 있음을 반영하기도 합니다. 그는 기존 RAM이 더 높은 수준의 표준화를 갖추고 있어 제조 능력과 생산능력 확장이 경쟁의 핵심이 될 수 있다고 보고 있습니다. 반면 차세대 HBM 및 로직 회로 하단에 SRAM을 배치하거나 로직 칩 위에 메모리를 3D 적층하는 아키텍처는 여전히 더 큰 집적화 및 발열 관리 과제에 직면해 있습니다.