Samsung teria adotado solução de 3 nm da TSMC para HBM da Nvidia: SK Hynix e Micron seguirão o exemplo?

TradingKey – Em 18 de outubro ET, surgiram relatos sobre novos acordos na cadeia de suprimentos para a memória de alta largura de banda (HBM) customizada de próxima geração da Nvidia (NVDA).

Segundo o jornal sul-coreano Seoul Economic Daily, a Samsung Electronics pode utilizar o processo de 3 nm da TSMC (TSM) para produzir dies de base para a HBM customizada da Nvidia. A Reuters posteriormente repercutiu a reportagem.

A reportagem afirmou que a Nvidia também fez solicitações semelhantes à Samsung, à SK Hynix (SKHY) e à Micron Technology (MU), esperando potencialmente que os três fornecedores utilizem o processo da TSMC para fabricar dies de base para NVHBM e processos de DRAM de próxima geração para dies centrais.

Atualmente, Nvidia, Samsung, SK Hynix, Micron Technology e TSMC não confirmaram oficialmente os arranjos específicos de fabricação, nem foram divulgados volumes de pedidos, proporções de fornecimento ou cronogramas de produção em massa.

Como o NVHBM difere do HBM padrão?

A Nvidia anunciou sua plataforma NVLink Fusion para infraestruturas de IA semipersonalizadas. A Reuters, citando matérias da imprensa sul-coreana, informou que a Nvidia revelou uma solução HBM personalizada, a NVHBM, em agosto.

Ao contrário do HBM padrão, a NVHBM supostamente integra o controlador de memória personalizado da Nvidia ao die base. O die base geralmente lida com o controle lógico, a conectividade de interface e o gerenciamento de memória, enquanto o core die lida principalmente com o armazenamento de dados.

Espera-se que esse projeto permita à Nvidia unificar interfaces de produtos e padrões de validação entre diferentes fornecedores, reduzindo o trabalho de adaptação de produtos e aumentando a viabilidade de aquisições com múltiplos fornecedores.

De acordo com relatos, os objetivos de design da NVHBM também incluem aumentar a largura de banda da memória, reduzir o consumo de energia e melhorar a utilização do espaço da XPU. Os resultados finais ainda dependerão do design do chip, dos processos de fabricação, do encapsulamento, das taxas de rendimento e da qualificação de clientes.

Por que a Samsung pode adotar a tecnologia de processo da TSMC

Se os relatórios forem verdadeiros, a Samsung usará o processo de 3 nanômetros da TSMC para fabricar o die base de um projeto específico de HBM da NV, em vez de depender inteiramente de sua própria capacidade de fundição. Isso pode estar relacionado ao desejo da Nvidia de padronizar as soluções de die base e agilizar o processo de homologação de fornecedores.

Esse arranjo envolve apenas projetos customizados específicos e não representa uma mudança completa no modelo de produção da Samsung. Relatórios apontam que a Samsung ainda planeja manter seu sistema de fabricação próprio para HBM padrão e produtos customizados para outros clientes, embora essa informação não tenha sido confirmada oficialmente pela Samsung.

Para a Samsung, a adoção do processo da TSMC pode ajudar a atender aos requisitos técnicos da Nvidia e garantir pedidos de HBM customizado de próxima geração. No entanto, se essa solução se traduzirá em fornecimento efetivo ainda depende de verificação do design, qualificação do processo, melhoria do rendimento e aceleração da produção em massa.

SK Hynix e Micron adotarão a mesma abordagem?

Atualmente, não há informações públicas indicando que a SK Hynix e a Micron Technology aceitaram o plano de fabricação de die base da TSMC. Os relatos apenas afirmam que a Nvidia fez solicitações semelhantes a três grandes fornecedores de HBM.

Mesmo que as três empresas adotem um design de die base relativamente padronizado, as diferenças entre os fornecedores ainda se refletirão na tecnologia de processo do die principal, no empilhamento de HBM, no encapsulamento avançado, nas taxas de rendimento, na capacidade de produção e na estabilidade de entrega.

Para a SK Hynix, o NVHBM pode trazer novos pedidos de memória personalizada, mas também exige que seus produtos estejam em conformidade com os padrões de design da Nvidia. Se a Micron Technology conseguirá garantir pedidos relacionados dependerá da qualificação do cliente, da alocação de capacidade, do desempenho do produto e da precificação.

No momento, ainda não está claro se as duas empresas adotarão o mesmo esquema de fabricação da Samsung.

O que isso significa para NVDA, Samsung e TSMC?

Para a Nvidia, uma solução unificada de NVHBM pode expandir as fontes de suprimento qualificadas, reduzir a dependência de um único fornecedor de memória e impulsionar o co-design de plataformas personalizadas de HBM e XPU. Se isso se traduzirá em remessas efetivas, no entanto, permanece dependente da qualificação de fornecedores, da alocação de pedidos e do avanço da produção em massa.

Para a Samsung, a SK Hynix e a Micron, o NVHBM apresenta potenciais oportunidades de pedidos de memória de alto padrão, ao mesmo tempo em que eleva os requisitos de especificações dos produtos, rendimento de fabricação e capacidade de entrega.

Para a TSMC, se o seu processo de 3 nm for por fim adotado para o Base Die do NVHBM, o escopo de aplicação de processos lógicos avançados em memórias para IA poderá se expandir. No entanto, atualmente não há evidências de que a TSMC tenha garantido pedidos definitivos, e a contribuição para a receita associada não pode ser quantificada no momento.

Daqui para frente, os principais aspectos a serem acompanhados incluem se os três fabricantes de memória confirmarão soluções de suprimento, o progresso da qualificação de clientes e da produção em massa do NVHBM, e se a Nvidia divulgará fornecedores específicos, volumes de pedidos e alocações de fornecimento.