Ações de memória dos EUA caem no pré-mercado; Micron, SanDisk e Western Digital recuam mais de 2% à medida que avanço tecnológico da CXMT desperta preocupações com a concorrência

TradingKey — Em 12 de outubro, as ações americanas do setor de memória operaram em queda generalizada no pré-market. Após a fabricante chinesa de chips de memória ChangXin Memory Technologies (CXMT) anunciar avanços em P&D na sua tecnologia DRAM de próxima geração, o mercado voltou a se concentrar no cenário competitivo da indústria global de memória, enquanto as ações do setor que haviam subido forte anteriormente continuaram a passar por uma realização de lucros.

No início do pré-market desta segunda-feira, no horário do leste dos EUA, a Micron Technology (MU), a SanDisk (SNDK) e a Western Digital (WDC) chegaram a cair mais de 2%, enquanto a Seagate Technology (STX) recuou mais de 1%. Na semana anterior, o setor de memória já havia recuado significativamente, com o ETF Roundhill Memory caindo 7,4% na semana, registrando seu pior desempenho semanal em quase três meses.

Desempenho da ação da Micron no pré-market, Fonte: FUTUBULL

A pressão sobre o setor está atrelada aos últimos desenvolvimentos tecnológicos da CXMT. A empresa afirmou que está avançando em sua arquitetura de célula de memória DRAM 4F² de última geração e planeja lançar uma nova geração de produtos de memória DDR5 para servidores com base nessa tecnologia até o final de 2026. Em comparação com a estrutura convencional 6F², o design 4F² pode aumentar ainda mais a densidade de memória por unidade de área. A plataforma de fabricação de DRAM de quinta geração da empresa, G5, também entrou em produção em massa em setembro.

A volatilidade das ações de memória aumentou visivelmente nos últimos dias. Na última sexta-feira, a SanDisk fechou em queda de 1,72%, após um forte recuo de 4,90% no pregão anterior, enquanto a Western Digital subiu 1,01% no fechamento, recuperando-se de perdas anteriores. Ao mesmo tempo, os últimos resultados trimestrais preliminares da Samsung Electronics ficaram aquém das expectativas do mercado, o que também pesou temporariamente sobre as ações globais de chips de memória.

No entanto, a demanda dos data centers de IA por DRAM, NAND e discos rígidos de alta capacidade permanece elevada. O foco do mercado está migrando da simples restrição de oferta e demanda para o ritmo de expansão dos fabricantes chineses, os progressos na tecnologia avançada de DRAM e a capacidade de manutenção dos preços de memória em patamares elevados. Os balanços desta semana da TSMC e da ASML também fornecerão novos sinais sobre a demanda por infraestrutura de IA, o que pode continuar a influenciar a trajetória dos setores de memória e semicondutores.