Tradingkey - 美东时间8月27日,SK海力士ADR(SKHY)在美国印第安纳州西拉斐特举行先进封装工厂奠基仪式,正式启动这一投资超过40亿美元的项目。
该工厂将成为SK海力士在美国的首座高带宽内存(HBM)先进封装基地,也是美国推动关键半导体供应链本土化的重要项目。
同日早些时候,有媒体报道称,特朗普政府正考虑推出新一轮大范围半导体关税。并考虑以企业在美建厂或扩产承诺换取芯片进口关税减免。在“投资换准入”的政策导向下,海外芯片厂商的美国本土化布局或进一步提速。
值得注意的是,该项目并不负责前端晶圆制造。SK海力士将在韩国生产晶圆,再运往印第安纳州完成先进封装和测试,随后供应给美国客户。先进封装可以将多颗芯片垂直堆叠或整合在同一封装中,从而提升数据传输速度和能效。随着传统制程微缩难度上升,这一技术已成为AI芯片产业链的重要环节,也是美国半导体供应链相对薄弱的部分。
HBM是英伟达(NVDA)等公司先进AI加速系统不可或缺的核心组件。AI模型规模不断扩大,带动数据中心对高带宽、低功耗内存的需求快速增长,也推动SK海力士成为韩国市值仅次于三星电子的企业。
对SK海力士而言,在美国建设封装基地有助于靠近英伟达、微软和谷歌等主要客户,也能增强AI内存供应链的区域布局。

SK海力士ADR两小时股价图,来源:TradingView
SKHY目前价格略低于0.382斐波那契回撤位(161.78美元),但仍高于0.236斐波那契回撤位(157.85美元),并站上5日均线(160.32美元)、10日均线(159.78美元)、20日均线、80日均线和160日均线)。
因此,短线均线修复已经形成,但价格尚未重新站稳161.78美元,也未突破0.5斐波那契回撤位(164.96美元)。当前更准确的定义是:此前快速回落后的低位横盘修复,处于157.85—164.96美元区间内的方向选择阶段,而不是已经确认重返178.41美元高点的上升趋势。
乐观方面,若股价能够有效收复并站稳161.78美元,进一步突破0.5斐波那契回撤位(164.96美元),则本轮修复才可能从均线反弹转向结构性转强,上方依次关注0.618斐波那契回撤位(168.13美元)及0.786斐波那契回撤位(172.65美元)。
下行空间方面,若价格始终无法收复161.78美元,且跌破20日均线(159.63美元)与80日均线(158.76美元)构成的承接带,则说明当前的均线翻多更接近区间内反抽,价格可能重新测试0.236斐波那契回撤位(157.85美元)。