記憶體股遭拋售，晟碟大跌7%，CXMT推出新一代DRAM架構，惟晨星指其商業化仍面臨巨大困難

Tradingkey - 美東時間 10 月 12 日，記憶體股普遍暴跌，市場擔憂中國 DRAM 製造商長鑫存儲（CXMT）推出的新一代 DRAM 架構，並計劃年底推出相關伺服器記憶體產品，引發市場對未來伺服器記憶體競爭加劇的擔憂。

根據市場研究機構 Counterpoint 數據，以全球 DRAM 廠商營收計算，長鑫科技 2026 年第二季市佔率為 7%，排名全球第四。若技術順利商業化，長鑫有望降低單位儲存成本，進而對現有廠商的市佔率與利潤率構成壓力。

截至發稿，Roundhill Memory ETF（DRAM）大跌4.61%，晟碟（SNDK）跌7.12%，SK海力士（SKHY）跌4.20%，美光科技（MU）跌4.70%，希捷科技（STX）跌3.18%，威騰電子（WDC）跌2.44%。

DRAM ETF 股價，來源：TradingView

長鑫存儲總裁曹堪宇 10 月 10 日表示，公司預計年底推出採用 4F² 架構的新一代 DDR5 RDIMM 產品。這項進展的商業意義，首先體現在記憶體單元面積上。目前 DRAM 主流採用 6F² 架構，F 代表製程中的最小特徵尺寸。在相同 F 值下，從 6F² 轉向 4F²，理論上可將單個記憶體單元的面積縮小約三分之一。晨星分析師 Jing Jie Yu 也指出，長鑫此次公布的新結構，記憶體單元面積縮小約 30%。

對 DRAM 製造商而言，記憶體單元面積縮小，有望提高每片晶圓的記憶體產出。如果量產良率能夠穩定，且新增製程成本沒有抵消密度提升的收益，每個位元的成本就有望下降。長鑫因此可能獲得更大的訂價空間，或在相同售價下改善利潤率。

長鑫此次介紹的一項關鍵創新，是垂直環繞閘極（VSG）電晶體結構。透過讓閘極更有效地控制電流，該結構旨在降低漏電與短通道效應；垂直佈局則有助於減少電晶體佔用的平面面積。這為 DRAM 在傳統微縮越來越困難的情況下繼續提高密度，提供了新的技術路徑。

需要注意的是，技術突破與成功量產商業化之間亦有距離。晨星分析師認為，長鑫要將這一結構商業化，可能「極其困難」，主要挑戰包括大規模生產時的一致性問題。實驗或樣品階段能夠實現的性能，必須在持續生產中穩定複製，才能轉化為合格產品和實際利潤。

因此，年底推出產品是一個值得關注的節點，但尚不能據此推斷長鑫屆時就能形成大規模、低成本供貨。據悉，RDIMM 是伺服器常用的記憶體模組形式，其應用要求不僅包括速度，還涉及長期連續運行的穩定性、可靠性，以及與伺服器平台的相容性。國際記憶體巨頭在這一領域累積了較強的客戶與工程優勢，長鑫要擴大市佔率，需要同時跨過製造和客戶認證兩道門檻。

對現有 DRAM 廠商來說，潛在壓力來自成本與供給兩個方面。如果長鑫實現穩定量產並擴大供貨，更低的單位成本可能幫助其爭取訂單，但新增有效供給也可能對 DRAM 價格形成壓力。

另一方面，評估長鑫此次公告對記憶體股的實際影響，需要結合各家廠商的產品結構。伺服器 DDR5 面臨的潛在競爭，不能直接等同於 HBM 業務面臨同樣程度的衝擊。後續真正決定競爭壓力的，將是長鑫的量產良率、客戶認證與實際供貨規模。