韓媒：三星將採用臺積電技術爲英偉達生產下一代內存芯片
來源 Jinse_news
金色財經報道，10月18日，據《首爾經濟日報》週日報道，三星電子將採用臺積電的3納米制程，爲英偉達下一代定製HBM芯片生產基底裸片。此舉將標誌着三星首次在HBM製造階段與臺積電合作。該報援引業界消息人士的話稱，英偉達已要求三星、SK海力士和美光科技採用臺積電的工藝製造NVHBM基底裸片，並採用第六代DRAM技術製造其核心芯片。據該公司稱，今年8月發佈的NVHBM將英偉達的定製內存控制器集成到基片中，旨在實現跨多家內存供應商的標準化實施。據《首爾經濟日報》報道，三星在經過內部評估後接受了英偉達的要求，但計劃繼續採用自主生產模式來生產標準HBM以及面向其他客戶的定製產品。該報援引消息人士的話稱，三星還在評估，如果需求超過臺積電的產能，其自有代工廠是否能夠生產NVHBM基底裸。
免責聲明：僅供參考。 過去的表現並不預示未來的結果。
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