三星和SK海力士推遲應用混合鍵合封裝工藝 因業內迫切性已大幅降低

金色財經報道，7月9日，據市場消息，三星電子、SK海力士原計劃在HBM4用混合鍵合技術，但目前正在重新考慮。混合鍵合屬於半導體先進封裝技術，業內預計最早用於16層HBM4E。兩家公司據悉決定繼續用傳統熱壓鍵合技術，因行業放寬HBM厚度標準、客戶高堆棧需求延遲調整計劃。