中國長鑫存儲披露下一代DRAM技術進展，三星、SK海力士盤中跌逾4%
TradingKey - 10 月 12 日，韓國記憶體晶片股盤中明顯走低。截至發稿前，三星電子 (005930.KS) 一度下跌約 4.2%，報 252500 韓元；SK 海力士 (000660.KS) 一度下跌約 4.01%，報 1624000 韓元。中國 DRAM 廠商長鑫存儲 (CXMT) 公布下一代記憶體技術研發進展，進一步增加市場對全球 DRAM 產業競爭加劇的關注。
三星電子股價日線圖，來源：TradingView
長鑫存儲表示，公司在下一代 4F² DRAM 記憶體單元結構研發方面取得關鍵進展。與目前主流商業 DRAM 採用的 6F² 結構相比，4F² 設計能在單位晶片面積內整合更多記憶體單元，在提高記憶體密度的同時改善能效。CXMT 採用自主研發的垂直環繞閘極 (Vertical Surrounding Gate) 電晶體架構，以縮小單一記憶體單元面積並減少漏電。
CXMT 總裁曹坎宇表示，公司計劃在 2026 年底前推出基於相關技術的新一代 DDR5 RDIMM 伺服器記憶體產品。目前三星與 SK 海力士同樣正在開發 4F² 技術，其中 SK 海力士先前已公布相關研發路線圖，三星據報則計劃在 2028 年前實現採用該結構的 10 奈米以下 DRAM 量產。
CXMT 近年來在全球 DRAM 市場的市佔率快速提升。Counterpoint 數據顯示，2026 年第二季 CXMT 全球 DRAM 營收市佔率升至 10%，較去年同期的 4% 明顯成長；同期三星約占 38%，SK 海力士約占 25%，美光 (MU) 約占 24%。
不過，CXMT 尚未公布新一代產品的完整技術參數和具體量產時間，因此此次研發突破能否轉化為伺服器市場的大規模商業訂單仍有待觀察。短期來看，CXMT 市佔率持續擴大及先進 DRAM 技術推進，使投資人重新評估三星、SK 海力士等傳統記憶體廠商未來面臨的競爭壓力。
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