美光、SK海力士、晟碟等記憶體巨頭集體反彈，現在買入DRAM ETF劃算嗎？

TradingKey - 過去一週，記憶體晶片類股再度成為美股焦點。美東時間 8 月 13 日，晟碟（SNDK）投資人日釋出長期利多，當日股價大漲 13.67%；SK 海力士 ADR（SKHY）漲 7.3%，美光科技（MU）、威騰電子（WDC）、希捷（STX）同步跟漲。

從週漲幅來看，漲勢更為可觀。過去一週（8 月 10 日至 14 日），晟碟累計上漲 35.38%，SK 海力士 ADR 漲 20.61%，美光科技漲 10.72%。記憶體類股整體表現遠超大盤，同期那斯達克僅微漲 0.14%。

Roundhill Memory ETF（DRAM）自 7 月 24 日低點反彈約 30%，記憶體行情熱度正高，而對投資人來說，現在追高這檔 4 月才成立的 ETF，還劃算嗎？

【來源：TradingView】

DRAM ETF是什麼？

2026 年 4 月 2 日，Roundhill Investments 推出全球首檔純記憶體主題 ETF，填補了晶片細分領域的空白。與涵蓋廣泛的半導體 ETF 不同，DRAM ETF 設定了嚴苛的選股門檻：公司記憶體業務收入占比須超過 50%，從而避免被晶片設計、設備製造等非核心業務稀釋持股純度。該產品採用主動管理策略，管理費率為 0.65%，每季調倉一次。

該 ETF 持股高度集中，截至 2026 年 8 月 16 日，前三大重倉股美光科技 (25.42%)、三星電子 (25.4%)、SK 海力士 (20.44%) 合計占比超過七成。其餘成分股依次為希捷、晟碟、CXMT、威騰電子、鎧俠、南亞科及華邦電。

【來源：Roundhill Investments】

支撐DRAM上漲的因素是什麼？

本輪反彈的基礎是真實的供需缺口，而非題材炒作。美光執行長 Sanjay Mehrotra 公開表示，目前只能滿足部分關鍵客戶 50% 至三分之二的需求，他將此稱為「有史以來最大的供需缺口」。

價格端是供需缺口最直接的印證。DDR5 (16Gb) 現貨價自 2025 年 11 月至 2026 年 6 月底上漲超 4 倍；據 TrendForce 數據顯示，一般型 DRAM 合約價 2026 年第一季季增 93% 至 98%，第二季續漲 53% 至 58%。

更關鍵的是，HBM 單顆粒消耗的晶圓資源是標準 DDR5 的 3 至 4 倍，持續擠壓通用 DRAM 產能。

部分廠商已給出極其樂觀的獲利預期，晟碟在投資人日指出，預計 2028 至 2030 財年非 GAAP 毛利率維持在約 80% 的水準。此外，公司明確表示，未來三年完成業務投資後，將把 100% 剩餘現金回饋股東。

估值方面，晟碟當前本益比約 19.51 倍，看似溫和，但低 PE 的背後是獲利成長率遠超股價漲幅，美光 2026 財年第三季營收年增 345.7%，晟碟第四財季年增 372%。當獲利以如此速度擴張，靜態本益比已系統性滯後於基本面。

DRAM ETF值得注意的風險有哪些？

集中度是首要風險。截至 2026 年 8 月 16 日，DRAM ETF 前三大持股為三星電子、美光、SK 海力士，合計超過 70%。記憶體邏輯一旦逆轉，淨值回檔會同樣劇烈。此外，三星與 SK 海力士合計佔近半權重，基金還承擔韓元匯率曝險。

週期分歧同樣不容忽視。高盛（GS）預計供需緊張持續至 2028 年，交銀國際判斷至少到 2027 年第四季；但摩根士丹利（MS）預計 DRAM 合約價年增率在 2026 年第四季見頂。增速見頂不等於價格下跌，但市場通常會提前反映預期變化。

此外，ETF 波動本身也是不可忽視的因素，該 ETF 自 6 月 22 日觸及 81.34 美元後，至 7 月下旬最大回檔接近 35%。管理團隊 8 月初的調倉也釋放了謹慎訊號：納入長鑫科技的同時，連續三個交易日減持三星電子約 300 萬股，套現約 4.32 億美元。

現在該不該買DRAM ETF？

對熟悉記憶體產業節奏、能承受大幅波動的交易型投資人來說，DRAM ETF 仍是高彈性的優先選擇。核心邏輯在於 AI 產能擠壓是結構性的，2027 年產能售罄提供了獲利底線。更穩妥的做法是分批建倉，而非一次性追入。此外，美光 2026 財年第四季財報公布在即，業績是否符合預期將直接影響短期方向。

對追求長期穩健配置的投資人，眼下未必是最佳買點。該 ETF 自 7 月低點已反彈約 30%，短期催化因素已被市場部分消化；摩根士丹利的成長見頂預警與高盛的 2028 年看多同時存在，說明後續波動不會小。

記憶體超級週期的中長期邏輯很可能尚未結束，但「週期未結束」和「此刻買入合理」之間，還隔著一個買入價格的問題。DRAM ETF 本質上是個工具，價值主要取決於使用者的節奏和風險承受能力。