美光暴漲8%創歷史新高！獲花旗、德銀大幅調升其目標價，1.27兆市值直逼Meta

TradingKey - 在TD Cowen將美光（MU）目標價調升至1500美元後，又有兩家頂級投行提升對美光的目標價。

其中，德意志銀行在最新研究報告中大幅上調了美光科技的目標價，從1000美元上調至1500美元；花旗則將目標價由840美元大幅上調至1200美元。

受華爾街階多頂級投行上調目標價影響，美光今日於盤中創下1133.24美元的歷史新高，截至發稿，仍漲8.12%，報1127.94美元，最新市值達到1.27兆美元，距離Meta（META）1.47兆美元市值僅差約15%的漲幅。

【來源：TradingView】

德銀上調目標價的原因是，公司管理層在季中持續優化財務展望、記憶體價格維持強勢運行，以及美光歷史業績持續超出華爾街共識預期的表現，目前市場對公司的獲利預測存在顯著上修空間。

該機構表示，此輪股價上漲的核心動力，正是AI應用的快速普及大幅拉動記憶體需求，進一步拉大了供應缺口。在德銀看來，這個趨勢未來數年都不會扭轉，會持續為美光股價提供支撐。

德銀表示，整體來看，美光基本面在本次財報披露前將維持強勁態勢；產業供需失衡的局面將貫穿2026年下半年、2027年及2028年，供給缺口甚至存在進一步擴大的可能。

花旗上調美光目標價主要依託年初以來記憶體晶片價格走勢超市場預期。1200美元的新目標價對應公司2027年預期每股盈餘10倍估值，測算潛在總回報約17.6%。花旗判斷，資料中心需求高景氣疊加產業供給收緊的格局，將持續帶動記憶體產品均價穩步上行。

在漲價幅度預測上，受資料中心算力相關需求爆發、產能供給跟不上的影響，花旗預計2026年DRAM均價全年大漲200%，二至四季較上季分別上漲37%、13%、11%；NAND快閃記憶體全年均價漲幅也將達到186%，三個季度較上季漲幅依次為45%、17%、6%。數據顯示，4月以來DRAM現貨價格已經上漲22%，目前現貨價比合約價高出21%，後續合約漲價已成高機率事件。

從供需格局來看，花旗預計2026年全球DRAM將出現5%的供給缺口，本輪產業上行週期有望延續至2027年，HBM產品明年價格將繼續攀升。今年記憶體漲價主要來自常規DRAM的供需失衡，例如美光2026年DRAM位元產能增速預計僅42%。