记忆体股遭抛售，闪迪大跌7%，CXMT推出新一代DRAM架构，惟晨星指其商业化仍面临巨大困难

Tradingkey - 美东时间10月12日，记忆体股普遍暴跌，市场担忧中国DRAM制造商长鑫存储（CXMT）推出的新一代DRAM架构，并计划年底推出相关服务器内存产品，引发市场对未来服务器记忆体竞争加剧的担忧。

根据市场研究机构Counterpoint数据，以全球DRAM厂商营收计算，长鑫科技2026年第二季市占率为7%，排名全球第四。若技术顺利商业化，长鑫有望降低单位存储成本，进而对现有厂商的市场份额与利润率构成压力。

截至发稿，Roundhill Memory ETF（DRAM）大跌4.61%，闪迪（SNDK）跌7.12%，SK海力士（SKHY）跌4.20%，美光科技（MU）跌4.70%，希捷科技（STX）跌3.18%，西部数据（WDC）跌2.44%。

DRAM ETF股价，来源：TradingView

长鑫存储总裁曹堪宇10月10日表示，公司预计年底推出采用4F²架构的新一代DDR5 RDIMM产品。这项进展的商业意义，首先体现在存储单元面积上。目前DRAM主流采用6F²架构，F代表制程中的最小特征尺寸。在相同F值下，从6F²转向4F²，理论上可将单个存储单元的面积缩小约三分之一。晨星分析师Jing Jie Yu也指出，长鑫此次公布的新结构，存储单元面积缩小约30%。

对DRAM制造商而言，存储单元面积缩小，有望提高每片晶圆的存储产出。如果量产良率能够稳定，且新增工艺成本没有抵消密度提升的收益，每个位元的成本就有望下降。长鑫因此可能获得更大的定价空间，或在相同售价下改善利润率。

长鑫此次介绍的一项关键创新，是垂直环绕闸极（VSG）晶体管结构。通过让闸极更有效地控制电流，该结构旨在降低漏电与短通道效应；垂直布局则有助于减少晶体管占用的平面面积。这为DRAM在传统微缩越来越困难的情况下继续提高密度，提供了新的技术路径。

需要注意的是，技术突破与成功量产商业化之间亦有距离。晨星分析师认为，长鑫要将这一结构商业化，可能“极其困难”，主要挑战包括大规模生产时的一致性问题。实验或样品阶段能够实现的性能，必须在持续生产中稳定复制，才能转化为合格产品和实际利润。

因此，年底推出产品是一个值得关注的节点，但尚不能据此推断长鑫届时就能形成大规模、低成本供货。据悉，RDIMM是服务器常用的内存模组形式，其应用要求不仅包括速度，还涉及长期连续运行的稳定性、可靠性，以及与服务器平台的兼容性。国际存储巨头在这一领域积累了较强的客户与工程优势，长鑫要扩大份额，需要同时跨过制造和客户认证两道门槛。

对现有DRAM厂商来说，潜在压力来自成本与供给两个方面。如果长鑫实现稳定量产并扩大供货，更低的单位成本可能帮助其争取订单，但新增有效供给也可能对DRAM价格形成压力。

另一方面，评估长鑫此次公告对记忆体股的实际影响，需要结合各家厂商的产品结构。服务器DDR5面临的潜在竞争，不能直接等同于HBM业务面临同样程度的冲击。后续真正决定竞争压力的，将是长鑫的量产良率、客户认证与实际供货规模。