SK海力士加速1c DRAM工艺转型，明年Q1有望成为主流制程，股价涨逾8%

TradingKey - 9月7日亚盘交易时段，SK海力士股价收涨8.26%，报178.3万韩元（折合约1324.58美元）。与此同时，该公司在先进DRAM制程转换方面的进展也受到市场关注。

【来源：TradingView】

据韩媒ChosunBiz援引业内人士消息，SK海力士正在快速提高第六代10nm级DRAM工艺1c nm的产能占比。

【来源：ChosunBiz】

行业估算显示，其1c DRAM占公司总DRAM产能的比例已从今年第一季度的约10%升至第二季度的约13%，预计第三季度增至约24%，第四季度达到约34%。到2027年第一季度，1c占比预计进一步升至约35%，首次超过届时约33%的1b工艺，成为SK海力士占比最大的DRAM制程。

与此同时，1b DRAM的占比预计已在今年第二季度约43%的水平见顶，并随着1c转换提速逐步下降。SK海力士此前在第二季度业绩电话会上确认，采用1c工艺的DRAM产品已从第二季度开始正式供货。

HBM是此次制程转换的关键应用方向。SK海力士在HBM4中继续采用成熟的1b DRAM，以保障量产稳定性，而下一代HBM4E则将首次采用1c DRAM作为核心芯片。

公司今年4月曾在财报电话会议上表示，计划2026年下半年供应HBM4E样品，并以2027年量产为目标推进。实际进展符合预期，6月18日，SK海力士已宣布向主要客户出货12层HBM4E样品。产品最高传输速率达到16Gbps/pin，能效较上一代提高20%以上。

从行业比较来看，据ChosunBiz援引的行业估算，截至今年第二季度末，三星电子和美光（MU）1c DRAM占各自DRAM产能的比例分别约为16%和19%，高于SK海力士同期约13%的水平。

不过，SK海力士下半年正在加快1c制程转换。报道预计，到第四季度SK海力士1c占比有望达到约34%，超过三星电子同期的约31%。

随着1c DRAM占比提升，以及服务器、AI和HBM等高附加值产品供应扩大，更先进制程带来的单片晶圆bit产量提升，有望增强成本竞争力并改善利润结构。

SK海力士预计，随着下半年HBM4产能扩大以及基于1c工艺的通用DRAM出货增加，下半年bit增长率将高于上半年。

按照目前行业预测，1c有望在明年第一季度成为公司主力制程，为HBM4E后续量产提供产能和工艺基础。