TradingKey - 美东时间8月17日,美光科技(MU)收于1011.75美元,涨幅4.13%,时隔一个多月重新站上1000美元关口,自7月低点已累计反弹36%。

【来源:TradingView】
这轮上涨并非单纯的技术反弹,而是短期催化剂与中长期逻辑共同推动的结果。但市场真正关心的问题,是政策红利退潮之后,AI需求能否支撑美光股价在千元之上站稳并持续上涨?
过去几个月,苹果(AAPL)一直在游说白宫,试图从中国存储芯片制造商长鑫存储(CXMT)和长江存储(YMTC)采购DRAM和NAND,以缓解AI数据中心需求挤压下暴涨的内存成本。
据《华尔街日报》报道,苹果已在iPhone、MacBook等多条产品线测试长鑫DRAM,并初步计划在中国市场销售的设备中优先搭载该芯片。
这条替代路径在8月中旬被华盛顿封堵。8月中旬,美国商务部长Howard Lutnick公开表示,美国企业应避免从中国CXMT等供应商采购存储芯片,特朗普政府"不认可"苹果转向中国存储的做法,短缺问题"需要通过其他方式解决"。
此前,舒默领衔的两党参议员已联名致信库克,要求苹果在8月21日前承诺不采购中国存储芯片。
在这场较量背后,美光是关键推手。据报道,美光7月起便展开游说,警告苹果与长鑫存储达成协议将“直接损害美国国内制造业,并与华盛顿的半导体回流政策背道而驰”。
单靠政策利好撑不起超240%的年内涨幅,更核心的支撑在产业端。
长期协议(LTA)正在改变存储行业的商业模式。微软(MSFT)、谷歌(GOOGL)、亚马逊(AMZN)等云巨头已与美光签订3至5年的长期供货协议,锁定约60%至70%的服务器级DDR5产能。即便消费电子需求萎缩,美光的核心收入已被合同提前锁定,周期的波动幅度被结构性收窄。
瑞银(UBS)研报指出,LTA正在改变存储行业的盈利特征,据此将估值定价基准从“周期性的市净率”切换为“成长性的市盈率”,目标倍数从8至10倍拉升至25至30倍区间。
与此同时,通用DRAM的毛利率正在碾压HBM,2026年5月至8月已攀升至89%至91%,预计2027年达到93%至95%的峰值;而HBM毛利率预计2027年为75%至78%,两者差距将扩大至20个百分点。HBM制造消耗三倍以上的晶圆产能,产能转向HBM反而加剧了通用DRAM供给紧张。
从目前的数据来看,AI需求对美光的支撑是真实且强劲的。但市场已经将大量利好计入价格,接下来需要的是持续超预期的验证。
7月10日,SK海力士(SKHY)CEO郭鲁正宣称,存储周期已经终结,AI带来了永久性缺货格局。闪迪(SNDK)CEO David Goeckeler指出,长期合同使其对未来四年的采购量具备了清晰的可视性。
机构方面,瑞银认为LTA正在击穿周期魔咒,New Street Research直言存储“不再是周期性故事”。
AI从结构上改变了需求形态,长期协议锁定了六至七成产能,即便消费端需求走弱,利润也不会像过去那样剧烈崩塌。
但这一判断并未获得一致认同。蓉和半导体咨询CEO吴梓豪表示,AI并未改变存储芯片作为“科技大宗商品”的底层属性——定价权始终在供需曲线手中。
周期是否真的消亡,2029年将是关键验证节点。瑞银模型测算,即便DRAM现货价在2029年回撤约50%,美光当年每股收益仍可维持在100美元以上。若验证失败,市场将重新把美光纳入周期股的定价框架。