全球首款存储ETF上市五周暴涨88%！现在买入还来得及吗？

TradingKey - Roundhill Memory ETF（DRAM）自4月2日上市以来，仅用25个交易日就大涨88%，资产管理规模突破50亿美元，规模增长速度仅次于iShares比特币信托（IBIT）的24天纪录。

这只仅持有9只股票的纯存储芯片ETF，截至5月8日已连续23个交易日实现资金净流入，单日最高净流入达11亿美元。DRAM的爆发式增长，也让市场开始激烈讨论：存储芯片ETF还能不能继续参与？

唯一的纯存储芯片ETF

在DRAM上市之前，美股市场上只有SOXX、SMH这类宽基半导体ETF，存储股仓位极低。SMH中只有美光（MU）一只存储股，SOXX中存储股合计仅7%-8%。

DRAM首次将美光、SK海力士、三星这三大HBM巨头打包成一只纯度极高的产品，三者合计权重接近七成，存储股仓位接近100%。

这种精准工具的稀缺性，是吸引大量资金短时间涌入的核心原因。再加上AI算力扩张对HBM需求的爆发式增长预期，资金自然向这一稀缺标的集中，推高了短期涨幅。

DRAM ETF管理费率为0.65%，高于宽基半导体ETF（如SMH约0.35%），但考虑到其纯存储主题的稀缺性，仍在可接受范围内。

基本面：存储供需缺口创15年新高

据高盛研报表明，2026年全球DRAM供需缺口达4.9%，为近15年来最严重的短缺。三大存储原厂（SK 海力士、美光、三星电子）年内产能早已被全部预订，新建晶圆厂从动工到量产通常需要4到5年。存储行业定价权已从买方转向卖方，这为DRAM ETF提供了基本面支撑。

从估值看，DRAM当前市盈率约6.31倍，处于历史较低水平。但分析师提醒，存储芯片在利润峰值时往往出现极低市盈率，2018年美光利润峰值时市盈率也曾低至5-6倍，随后因供需逆转股价大幅回落。当前的低PE究竟是“低估买入信号”还是“周期见顶警示”，仍有待后续财报验证。

风险：集中持仓与反向信号

该基金持仓高度集中，前三大持仓占比近七成。有观点认为它是追着最热概念跑的产物。一旦存储价格逆转，规模越大，抛压越重。

BTIG分析师Jonathan Krinsky在DRAM ETF上市当天指出，过去一年高盛存储指数上涨约350%，同期美光涨幅超700%，而DRAM ETF直到近期才推出，这在历史上往往被视为反向信号。他以Meme Stock ETF为例，这只在2021年12月模因股狂潮尾声推出的产品，上市后累计跌幅超70%，最终在2023年11月清盘。

分析师同时强调，DRAM与Meme Stock ETF在基本面和资金结构上有本质区别，历史先例仅供参考，并非必然重演。前者有HBM结构性短缺和五年期长协的基本面支撑，后者纯属情绪驱动。

DRAM ETF 还值得入场吗？

不同风格的投资者，策略也应不同。对于看好AI存储长期趋势的中长线投资者，以不超过组合3%的小仓位分批参与，仍是较为理性的选择。而对于短线交易者，当前位置的风险回报比已明显下降。

美光将于7月1日公布第三财季业绩，这将是检验HBM涨价叙事能否延续的关键节点。市场将验证美光335亿美元的营收指引（对应EPS约18.9美元）与实际业绩的差距，同时关注第四财季指引会不会环比持平，这可能就是周期拐点的早期信号。在此之前，追高应当格外谨慎。

此外，SK海力士ADR上市在即。这家全球最大的HBM供应商计划于2026年6月至7月完成美国ADR上市，募资约100亿美元。

目前SK海力士远期市盈率仅约3-4倍，远低于美光的8-9倍。ADR上市后，美国投资者将首次能够直接交易该股票，其估值修复空间可能成为DRAM ETF的又一重利好。