据报道，SK海力士考虑采用英特尔HBM4E基础芯片，寻求降低对台积电依赖

TradingKey - 据韩国媒体最新报道，SK海力士（SKHY）正在考虑与英特尔（INTC）晶圆代工业务合作，将下一代HBM4E基础裸片的部分生产交由英特尔负责，以扩大供应来源。目前相关方案仍处于评估阶段，双方尚未敲定具体合作规模和时间。

HBM基础裸片位于多层DRAM芯片底部，主要负责连接HBM与GPU等处理器，并承担数据传输和控制功能。随着HBM性能不断提升，基础裸片的重要性也明显增加。SK海力士此前的HBM3E基础裸片主要采用内部工艺，而从HBM4开始，公司转向采用台积电（TSM）的先进逻辑制程。

目前，SK海力士HBM4产品的基础裸片采用台积电12纳米级制程。韩国媒体援引行业估算称，台积电生产的HBM4基础裸片成本可能达到核心DRAM裸片的3至4倍。随着HBM4E进入量产准备阶段，SK海力士正在寻求更多晶圆代工选择，以降低制造成本并增强供应链稳定性。

按照报道，SK海力士未来可能从HBM4E开始同时采用台积电和英特尔两家供应商生产基础裸片，而不是完全从台积电转向英特尔。此外，公司还在评估双方的先进封装技术，包括台积电CoWoS-S、CoWoS-L以及英特尔EMIB。

SK海力士已经加快HBM4E产品推进。今年6月，公司宣布向主要客户出货12层HBM4E样品，产品最高数据传输速度达到16Gbps，功耗效率较上一代提升超过20%，并计划与客户推进后续量产。

若最终达成合作，这将成为英特尔晶圆代工业务进入下一代HBM供应链的重要进展，同时也意味着SK海力士的HBM供应链可能从目前主要依赖台积电，逐步转向多供应商模式。不过，目前SK海力士与英特尔尚未正式宣布HBM4E基础裸片代工协议，具体生产安排仍有待进一步确认。