美光 vs. 三星：三星罷工危機剛解除 美光宣布全球擴產 記憶體巨頭排名是否會重新洗牌？

TradingKey - 週三（5月27日），三星的罷工風波終於落下帷幕，工會以 73.7% 的投票支持率批准了薪酬協議。根據彭博社測算，三星半導體部門員工平均可獲得 5.13 億韓元，相當於 34 萬美元；部分記憶體業務員工獎金甚至可能達到 6 億韓元。

在這場風波蔓延首爾的同時，三星的競爭對手美光（MU）卻傳出利好消息：週二美股收漲 19%，顯示了市場的極致看漲；美光管理層在近期的採訪中表示正在加速推進全球建廠計劃，新產能預計從 2027 年起陸續投產，提升了未來增長空間的可見度。

三星罷工風波的發生，是否已悄然改寫了記憶體產業的世界格局？美光未來是否有望超越三星？

美光擴產 等待2028年大規模釋放產能

根據 MarketWatch 報導，Itau BBA 分析師 Stephano Gabriel 指出，由於供應鏈的穩定性對於正在建設 AI 數據中心的超大規模企業來說至關重要，美光在三星勞資衝突中可能獲得好處，主要在於能夠獲得未來訂單的更高份額或價格溢價。

MarketWatch 引用 Baptista Research 分析師 Ishan Majumdar 的觀點：雖然三星的「暫時性中斷」有可能使美光獲益，但美光投資者如今更關心「更廣泛的 AI 記憶體週期性增長」，將希望寄託於 HBM（高頻寬記憶體）的稀缺性和價格走強可能會使美光在 2027 年之前受益。

根據近期《彭博播客》（Bloomberg Podcasts）對美光執行長桑傑·馬羅特拉（Sanjay Mehrotra）的採訪，Mehrotra 預計全球記憶體短缺可能延續至 2026 年之後，而真正意義上的大規模新產能釋放，至少要等到 2028 年。

美光正在為此做準備。一方面，美光正致力於將 40% 的 DRAM 製造轉回美國本土，重要基地馬納薩斯的 DDR4 記憶體產量翻四倍。同時，美光正在擴產全球產能版圖，將日本廣島的 HBM 晶片出貨目標定於 2028 年前後，新加坡的 NAND 晶圓廠預計於 2028 年下半年啟動，美光前段時間收購的力積電（PSMC）銅鑼晶圓廠配套的孿生晶圓廠，預計於今年夏季啟動建設，其現有的銅鑼 P5 廠預計於 2027 年下半年開始實現有意義的 DRAM 晶圓產出，新銅鑼廠預計從 2028 財年起出貨。

三星罷工 美光是否有望快速趕超？

在全面擴產的情況下，美光是否能最大限度地利用當下的利多，未來在市場份額上超越三星？

有分析指出，雖然三星的罷工危機已經暫時解除，但這場危機讓市場意識到，記憶體產業產能的過度集中風險正在加劇，美光的擴產是降低風險的一個切入點。有分析指出，部分客戶為了規避潛在的風險，已經開始將部分中遠期訂單分流至美光。

另一方面，由於美光不需要將大筆資金用於安撫員工，將有更充足的現金流用於新產能的擴大；美光對韓企外流半導體人才的吸納，或能縮短技術研發上與韓系企業的時間差，這都將為美光趕超三星創造條件。

儘管如此，仍需要考慮這兩家公司的客觀差距：美光因為先前錯失輝達的技術驗證，已經錯過其首批訂單，與三星及 SK 海力士拉開了約 9 個月的研發週期時間差；美光在新產能大量釋放之前，規模都將遠小於這兩家韓國企業，無法滿足目前市場急速膨脹的記憶體需求。